Раєвська Нелля Сергіївна
Діод ганна з фосфіду індію
Номер патенту: 51542
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Іванов Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович
МПК: H01L 29/00, H01L 47/00
Мітки: діод, фосфіду, ганна, індію
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...