Патенти з міткою «ганна»

Державний заклад “дніпропетровська медична академія моз україни” (ua ); кузьміна ганна петрівна (ua )

Номер патенту: 113328

Опубліковано: 10.01.2017

Мітки: академія, кузьміна, ганна, державний, петрівна, заклад, медична, дніпропетровська, україни, моз

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики активного системного червоного вовчака, що включає дослідження показників крові хворого до проведення курсу лікування з наступним порівнянням з даними контролю, який відрізняється тим, що в сироватці крові хворого визначають концентрацію сироваткового інтерлейкіну-8, альфа 2-макроглобуліну та інтерферону-g, і розраховують індекс антитілоутворення за формулою ІАт=ІЛ8/МГ×ІФН-g, де:ІАт - індекс антитілоутворення,...

Діод ганна зі ступінчастим інжектором гарячих електронів

Номер патенту: 112306

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Скосар Вячеслав Юрійович, Гниленко Олексій Борисович, Плаксін Сергій Вікторович

МПК: H01L 29/10, H01L 47/02

Мітки: електронів, діод, інжектором, ганна, гарячих, ступінчастим

Формула / Реферат:

Діод Ганна з інжектором гарячих електронів, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска, на якій сформовано анодний омічний контакт, сформовано катодний омічний контакт із золота, який відрізняється тим, що мезаструктура зі сторони анода включає наступні шари: InP-підкладку товщиною 25 мкм, контактний InGaAs-шар товщиною 5 мкм, пролітну...

Фосфід-індієвий діод ганна

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Коростинська Тамара Василівна, Зайцев Борис Васильович, Новицький Сергій Вадимович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Веремійченко Георгій Микитович, Виноградов Анатолій Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/861

Мітки: діод, фосфід-індієвий, ганна

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Діод ганна на основі gan

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Голинна Тетяна Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Шеремет Володимир Миколайович, Сай Павло Олегович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, основі, ганна

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів ганна

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Бобиль Олександр Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Арсентьєв Іван Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Тарасов Ілля Сергійович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 21/66

Мітки: катодного, контакту, діодів, спосіб, якості, ганна, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Діод ганна з фосфіду індію

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович, Раєвська Нелля Сергіївна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, діод, фосфіду, індію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Діод ганна з фосфіду індія

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Міленін Віктор Володимирович, Іванов Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Ковтонюк Віктор Михайлович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Конакова Раїса Васильйовна, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, ганна, фосфіду, індія

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод ганна з арсеніду галію

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: арсеніду, напівпровідниковий, надвисокочастотний, діод, ганна, галію

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...