Соколов Олександр Леонідович
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: отримання, спосіб, напівпровідникових, багатошарових, наноструктур
Формула / Реферат:
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...