Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп = (500±10) К, а товщини шарів – ~30 нм (n-РbТе), (2,4-2,7) нм (p-SnTe) і ~12 нм (n-РbТе), відповідно.

Текст

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкри 3 62086 Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур здійснюють таким чином. Як наважку використовують синтезовані сполуки nРbТе і p-SnTe, які випаровують у відкритому вакуумі при певній температурі Тв, а при температурі Тп осаджують на підкладку із сколів (001) кристалів КСl протягом певного часу  , що забезпечують задану товщину (d) шарів. Комп’ютерна верстка Л. Купенко 4 Для структури n-PbTe/p-SnTe/n-PbTe температура випаровуванням складає Тв = (970±10) К, температура підкладки Тп = (500±10) К. Товщини нижнього і верхнього шарів РbТе задають пос1 2 тійними (d PbTe  30нм і d PbTe  12 нм), а товщину шару p-SnTe змінюють у межах dSnTe =(0,5-6,0) нм. Перелік фігур креслення. Фіг. 1. Залежність термоелектричної потужнос2 ті S  наноструктури n-PbTe/p-SnTe/n-PbTe при Т=300 К від товщини шару SnTe. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method of producing multilayer semiconductor nanostructures

Автори англійською

Freik Dmytro Mykhailovych, Dzundza Bohdan Stepanovych, Yavorskyi Yaroslav Sviatoslavovych, Potiak Volodymyr Yuriiovych, Sokolov Oleksandr Leonidovych

Назва патенту російською

Способ получения многослойных полупроводниковых наноструктур

Автори російською

Фреик Дмитрий Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворский Ярослав Святославович, Потяк Владимир Юрьевич, Соколов Александр Леонидович

МПК / Мітки

МПК: B82B 3/00

Мітки: багатошарових, спосіб, отримання, напівпровідникових, наноструктур

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-62086-sposib-otrimannya-bagatosharovikh-napivprovidnikovikh-nanostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур</a>

Подібні патенти