Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Соколов Олександр Леонідович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович
Формула / Реферат
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп = (500±10) К, а товщини шарів – ~30 нм (n-РbТе), (2,4-2,7) нм (p-SnTe) і ~12 нм (n-РbТе), відповідно.
Текст
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкри 3 62086 Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур здійснюють таким чином. Як наважку використовують синтезовані сполуки nРbТе і p-SnTe, які випаровують у відкритому вакуумі при певній температурі Тв, а при температурі Тп осаджують на підкладку із сколів (001) кристалів КСl протягом певного часу , що забезпечують задану товщину (d) шарів. Комп’ютерна верстка Л. Купенко 4 Для структури n-PbTe/p-SnTe/n-PbTe температура випаровуванням складає Тв = (970±10) К, температура підкладки Тп = (500±10) К. Товщини нижнього і верхнього шарів РbТе задають пос1 2 тійними (d PbTe 30нм і d PbTe 12 нм), а товщину шару p-SnTe змінюють у межах dSnTe =(0,5-6,0) нм. Перелік фігур креслення. Фіг. 1. Залежність термоелектричної потужнос2 ті S наноструктури n-PbTe/p-SnTe/n-PbTe при Т=300 К від товщини шару SnTe. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of producing multilayer semiconductor nanostructures
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Dzundza Bohdan Stepanovych, Yavorskyi Yaroslav Sviatoslavovych, Potiak Volodymyr Yuriiovych, Sokolov Oleksandr Leonidovych
Назва патенту російськоюСпособ получения многослойных полупроводниковых наноструктур
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворский Ярослав Святославович, Потяк Владимир Юрьевич, Соколов Александр Леонидович
МПК / Мітки
МПК: B82B 3/00
Мітки: багатошарових, спосіб, отримання, напівпровідникових, наноструктур
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-62086-sposib-otrimannya-bagatosharovikh-napivprovidnikovikh-nanostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур</a>
Попередній патент: Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах
Наступний патент: Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду
Випадковий патент: Пристрій для передавання модульованих механічних коливань