Яворський Ярослав Святославович
Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю
Номер патенту: 102226
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: високою, потужністю, термоелектричною, спосіб, питомою, отримання, слюди, snte:sb, наноструктур
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс
Номер патенту: 102175
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, ситалових, snte:sb, наноструктур, підкладках, термо-е.р.с, p-типу, значною, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю
Номер патенту: 101359
Опубліковано: 10.09.2015
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: отримання, snte:sb, питомою, спосіб, наноструктур, термоелектричною, потужністю, високою, слюди
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...
Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-рbте:ві на ситалових підкладках
Номер патенту: 87031
Опубліковано: 27.01.2014
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: n-рbте:ві, спосіб, конденсату, підкладках, термоелектричного, ситалових, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...
Спосіб отримання напівпровідникових структур n-pbte:bi із покращеною термоелектричною потужністю
Номер патенту: 84497
Опубліковано: 25.10.2013
Автор: Яворський Ярослав Святославович
МПК: B82B 3/00
Мітки: структур, n-pbte:bi, отримання, потужністю, термоелектричною, покращеною, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...
Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-pbte:bi
Номер патенту: 84495
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Криницький Олександр Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: легованих, спосіб, основі, отримання, структур, термоелектричних, n-pbte:bi
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...
Пристрій для отримання тонких плівок
Номер патенту: 80521
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: H01L 21/203, H01F 41/00
Мітки: отримання, пристрій, тонких, плівок
Формула / Реферат:
Пристрій для отримання тонких плівок, що містить мікропечі, підкладки, випарник із наважкою, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що для отримання конденсату використовують систему поворотних мікропечей з підкладками на радіальних кронштейнах і заслінку із асиметричним нецентральним отвором, розміщеним над випарником.
Пристрій для отримання двошарових структур
Номер патенту: 77224
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Яворський Ярослав Святославович
МПК: H01L 21/00
Мітки: структур, пристрій, двошарових, отримання
Формула / Реферат:
Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, спосіб, напівпровідникових, багатошарових, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...