Соколовський Богдан Степанович
Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур
Номер патенту: 105248
Опубліковано: 25.04.2014
Автори: Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Морозов Леонід Михайлович, Соколовський Богдан Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна
МПК: H01L 29/861, H01L 31/00, H01L 21/04 ...
Мітки: спосіб, отримання, структур, кремнієвих, фотовольтаїчних
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...
Спосіб отримання газового сенсора
Номер патенту: 92968
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Морозов Леонід Михайлович, Соколовський Богдан Степанович
МПК: G01N 29/00, G01N 21/00, H01L 27/14 ...
Мітки: газового, спосіб, отримання, сенсора
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання газового сенсора, який включає електрохімічне травлення монокристалічного кремнієвого матеріалу, створення захисного шару, виготовлення металічних контактів та під'єднання виводів для електричних вимірювань, який відрізняється тим, що проводять травлення монокристалічної кремнієвої пластини n- або р-типу провідності електрохімічним анодуванням у фторопластовій комірці з використанням розчину C2H5OH:HF у концентрації 1:1...