Оленич Ігор Богданович

Номер патенту: 116173

Опубліковано: 10.05.2017

Автор: Оленич Ігор Богданович

МПК: G05D 25/00, G06N 7/02, G05D 25/02 ...

Мітки: житлового, освітленням, приміщення, автоматичного, керування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб автоматичного керування системою освітлення житлового приміщення, в якому на основі контролера нечіткої логіки, за яким формують базу нечітких продукційних правил, фазифікують вхідні значення освітленості, на основі знайдених значень істинності кожної з умов активізують висновки кожного з нечітких правил, після чого акумулюють висновки і дефазифікують отримані нечіткі вихідні величини, який відрізняється тим, що додатково вводять...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 21/20 ...

Мітки: кремнію, спосіб, структур, поруватого, фоточутлівих, отримання, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Номер патенту: 107110

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Горбенко Юлія Юріївна, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: G01N 27/12, G01N 29/00, B82Y 30/00 ...

Мітки: композитного, матеріалу, отримання, спосіб, сенсора, газового, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання газового сенсора на основі композитного матеріалу, за яким у водну суспензію політилендіокситіофену, стабілізованого полістиренсульфоновою кислотою, уводять нанокристали поруватого кремнію, який відрізняється тим, що у композит додатково вводять наночастинки цинку оксиду ZnO в об'ємному співвідношенні до нанокристалів поруватого кремнію 1:2 або 1:1, або 2:1, отриману суміш обробляють ультразвуком упродовж 2 годин і наносять...

Номер патенту: 111447

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Горбенко Юлія Юріївна

МПК: G01N 27/12, G01N 29/00, G01N 27/62 ...

Мітки: спосіб, сенсора, плівкового, газового, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення плівкового газового сенсора, за яким отримують нанокомпозит на основі багатостінних вуглецевих нанотрубок, після чого наносять його на ізолюючу підкладку, який відрізняється тим, що вуглецеві нанотрубки обробляють ульразвуковом з частотою 42 кГц у суміші нітратної і сульфатної кислот у співвідношенні 3:1 упродовж 30 хв і функціоналізують; як основу нанокомпозита використовують полімер PEDOT, який стабілізують водною...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 29/861 ...

Мітки: структур, спосіб, основі, сенсорних, поруватого, фотовольтаїчних, отримання, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Соколовський Богдан Степанович, Морозов Леонід Михайлович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 29/861, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: отримання, фотовольтаїчних, спосіб, кремнієвих, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Номер патенту: 92968

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Соколовський Богдан Степанович, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 27/14, G01N 21/00, G01N 29/00 ...

Мітки: сенсора, спосіб, газового, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання газового сенсора, який включає електрохімічне травлення монокристалічного кремнієвого матеріалу, створення захисного шару, виготовлення металічних контактів та під'єднання виводів для електричних вимірювань, який відрізняється тим, що проводять травлення монокристалічної кремнієвої пластини n- або р-типу провідності електрохімічним анодуванням у фторопластовій комірці з використанням розчину C2H5OH:HF у концентрації 1:1...

Номер патенту: 55629

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Євчук Оксана Миколаївна, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Павлик Михайло Романович

МПК: C08K 7/00, C08K 3/36, C08G 61/00 ...

Мітки: отримання, наноструктур, полімер-напівпровідник, спосіб, гібридних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...