Монастирський Любомир Степанович

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/20, H01L 31/00 ...

Мітки: поруватого, структур, отримання, спосіб, фоточутлівих, кремнію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Номер патенту: 107110

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Горбенко Юлія Юріївна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: G01N 29/00, G01N 27/12, B82Y 30/00 ...

Мітки: отримання, матеріалу, сенсора, композитного, основі, газового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання газового сенсора на основі композитного матеріалу, за яким у водну суспензію політилендіокситіофену, стабілізованого полістиренсульфоновою кислотою, уводять нанокристали поруватого кремнію, який відрізняється тим, що у композит додатково вводять наночастинки цинку оксиду ZnO в об'ємному співвідношенні до нанокристалів поруватого кремнію 1:2 або 1:1, або 2:1, отриману суміш обробляють ультразвуком упродовж 2 годин і наносять...

Номер патенту: 111447

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Горбенко Юлія Юріївна, Морозов Леонід Михайлович, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: G01N 27/12, G01N 27/62, G01N 29/00 ...

Мітки: газового, плівкового, сенсора, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення плівкового газового сенсора, за яким отримують нанокомпозит на основі багатостінних вуглецевих нанотрубок, після чого наносять його на ізолюючу підкладку, який відрізняється тим, що вуглецеві нанотрубки обробляють ульразвуковом з частотою 42 кГц у суміші нітратної і сульфатної кислот у співвідношенні 3:1 упродовж 30 хв і функціоналізують; як основу нанокомпозита використовують полімер PEDOT, який стабілізують водною...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 29/861 ...

Мітки: отримання, структур, сенсорних, поруватого, кремнію, основі, спосіб, фотовольтаїчних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/00, H01J 37/30 ...

Мітки: отримання, мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Морозов Леонід Михайлович, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Соколовський Богдан Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 29/861 ...

Мітки: фотовольтаїчних, отримання, кремнієвих, спосіб, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Номер патенту: 92968

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович, Соколовський Богдан Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: G01N 29/00, G01N 21/00, H01L 27/14 ...

Мітки: сенсора, спосіб, газового, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання газового сенсора, який включає електрохімічне травлення монокристалічного кремнієвого матеріалу, створення захисного шару, виготовлення металічних контактів та під'єднання виводів для електричних вимірювань, який відрізняється тим, що проводять травлення монокристалічної кремнієвої пластини n- або р-типу провідності електрохімічним анодуванням у фторопластовій комірці з використанням розчину C2H5OH:HF у концентрації 1:1...

Номер патенту: 55629

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Євчук Оксана Миколаївна, Оленич Ігор Богданович, Павлик Михайло Романович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: C08K 3/36, C08G 61/00, C08K 7/00 ...

Мітки: спосіб, полімер-напівпровідник, наноструктур, отримання, гібридних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...