Патенти з міткою «фотовольтаїчних»

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/04, H01L 29/861, H01L 31/00 ...

Мітки: спосіб, отримання, поруватого, основі, кремнію, структур, фотовольтаїчних, сенсорних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Оленич Ігор Богданович, Соколовський Богдан Степанович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/04, H01L 29/861, H01L 31/00 ...

Мітки: отримання, кремнієвих, фотовольтаїчних, спосіб, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Номер патенту: 55606

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Чмуль Анатолій Григорович, Сафронов Віталій Вікторович, Ходунов Володимир Олександрович, Жарков Іван Павлович

МПК: B25J 11/00

Мітки: навантаженнях, дослідження, фотовольтаїчних, зразків, кріостата, характеристик, механічних, вставка

Формула / Реферат:

1. Вставка кріостата для дослідження фотовольтаїчних характеристик зразків при механічних навантаженнях, яка має механізми вертикального і горизонтального переміщення кювети та механізм обертання кювети, яка відрізняється тим, що вона забезпечена вимірювальною частиною, електричними вводами-виводами, комутаційною платою та роз’ємами для підведення впливу електричного поля на зразок. 2. Вставка за п. 1, яка відрізняється тим, що...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: випромінювання, діапазону, отримання, структур, галію, спосіб, епітаксійних, фотовольтаїчних, детекторів, рентгенівського, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 55796

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Аппазов Едуард Сейярович, Лубяний Віктор Захарович, Марончук Олександр Ігорович

МПК: G01R 31/26

Мітки: пристрій, експлуатаційних, фотовольтаїчних, характеристик, визначення, перетворювачів

Формула / Реферат:

Пристрій для вивчення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів, що містить охолоджувач, джерело гріючого струму, блок вимірювання температури, блок індикації, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді вакуумної камери з оптичним вікном, в якій розташований мідний підкладкоутримувач, що нагрівається, який зворотним боком з'єднаний з охолоджувачем, виконаним у вигляді труби.