Таранюк Володимир Іванович
Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації
Номер патенту: 109196
Опубліковано: 27.07.2015
Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Ляхов Віктор Васильович, Гектін Олександр Вульфович, Сулаєв Михайло Іванович, Таранюк Володимир Іванович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/00
Мітки: великої, отримання, площі, пластин, пристрій, реалізації, полікристалічних, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...
Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі
Номер патенту: 108798
Опубліковано: 10.06.2015
Автори: Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/00
Мітки: кристалічних, одержання, пластин, площі, зокрема, кристалів, великої, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...
Спосіб вирощування монокристалів
Номер патенту: 87927
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Варич Андрій Григорович, Таранюк Володимир Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович
МПК: C30B 15/20
Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів дискретним витягуванням на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, корекцією його температури по сигналу датчика рівня розплаву і підживленням розплаву вихідною сировиною, попередньо поданою у розташовану коаксіально тиглеві кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного витягування монокристала і величину...