Колесніков Олександр Володимирович
Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі
Номер патенту: 107650
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Галенін Євгеній Петрович, Колесніков Олександр Володимирович, Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/00
Мітки: вирощування, монокристалів, ампулі, розплаву, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...
Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації
Номер патенту: 109196
Опубліковано: 27.07.2015
Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Сулаєв Михайло Іванович, Ляхов Віктор Васильович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/00
Мітки: пристрій, пластин, спосіб, полікристалічних, отримання, площі, реалізації, великої
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...
Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі
Номер патенту: 108798
Опубліковано: 10.06.2015
Автори: Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович, Таранюк Володимир Іванович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/00
Мітки: одержання, великої, кристалів, спосіб, зокрема, пластин, площі, кристалічних
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...
Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію
Номер патенту: 93840
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Тимошенко Микола Миколайович
МПК: C01D 3/12, C01D 17/00, C30B 11/00 ...
Мітки: вирощування, спосіб, натрію, цезію, монокристалів, йодиду, основі
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...
Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, та спосіб його одержання
Номер патенту: 87792
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Васецький Сергій Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Заславський Борис Григорович, Мітічкін Анатолій Іванович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Гриньов Борис Вікторович, Колесніков Олександр Володимирович
МПК: C30B 29/10, C30B 15/00, C30B 15/02 ...
Мітки: талію, одержання, спосіб, цезію, сцинтиляційний, йодидом, активованій, основі, матеріал, йодиду
Формула / Реферат:
1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...
Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів
Номер патенту: 77818
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Софронов Дмитро Семенович, Шишкін Олег Валерійович, Кисіль Олена Михайлівна, Гриньов Борис Вікторович, Заславський Борис Григорович, Волошко Олександр Юрійович, Колесніков Олександр Володимирович, Самойлов Віктор Леонідович
МПК: G01N 27/22, G01N 25/56
Мітки: йодидів, вологості, солей, виміру, зокрема, лужних, металів, матеріалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів, який полягає в тому, що досліджуваний матеріал поміщають у ємнісну комірку, яку включають у вимірювальний ланцюг джерела змінної напруги, вимірюють її ємність і, використовуючи попереднє градуювання, визначають значення вологості, який відрізняється тим, що як ємнісну комірку використовують відкачну кварцову ампулу, яку поміщають між щільно прилягаючими обкладками...