Васецький Сергій Іванович

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Васецький Сергій Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Колесніков Олександр Володимирович, Заславський Борис Григорович

МПК: C01D 3/12, C01D 17/00, C30B 11/00 ...

Мітки: натрію, йодиду, вирощування, цезію, основі, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Мітічкін Анатолій Іванович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Гриньов Борис Вікторович, Колесніков Олександр Володимирович, Васецький Сергій Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/02, C30B 29/10 ...

Мітки: основі, спосіб, сцинтиляційний, активованій, одержання, матеріал, йодиду, цезію, йодидом, талію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 46202

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Кисіль Іван Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, монокристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву, що містить ростову камеру, розташовані в ній тигель для розплаву, обладнаний бічним і донним нагрівачами, встановлений над камерою росту бункер із вихідною сировиною, сполучений транспортною трубкою з рідкофазним живильником, який має тигель для розплаву, яким підживлюють, автономний нагрівач і зливальну трубку, введену крізь дно зазначеного тигля, шток кристалотримача, введений через кришку...

Номер патенту: 20960

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Даниленко Едуард Васильович, Шпилинська Лариса Миколаівна, Соломаха Юрій Олексійович, Заславський Борис Григорович, Панова Олександра Миколаівна, Мітічкін Анатолій Іванович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: йодидів, витягування, сцинтиляційних, автоматизованого, металів, спосіб, монокристалів, основі, лужних

Формула / Реферат:

Способавтоматизированного вытягивания сцинтилляционных монокристаллов на основе иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного сырья в питатель, его вакуумную сушку, плавление, перекачку части расплава в тигель, радиальный рост и рост в высоту с одновременной подпиткой расплавом, отличающийся тем, что вводят иод или иодирующий агент в питатель после плавления сырья в нем, а подпитку осуществляют расплавом, содержащим растворенный...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович, Стаднік Петро Омел'янович, Соломаха Юрій Олексійович, Даниленко Едуард Васильович, Гавриш Валентина Олексіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалу, здійснення, процесом, витягування, керування, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...