Заславський Борис Григорович

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: розплаву, витягування, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Заславський Борис Григорович, Колесніков Олександр Володимирович, Тимошенко Микола Миколайович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00, C01D 17/00, C01D 3/12 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, йодиду, натрію, цезію, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Кудін Олександр Михайлович, Мітічкін Анатолій Іванович, Заславський Борис Григорович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Гриньов Борис Вікторович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C30B 29/10, C30B 15/00, C30B 15/02 ...

Мітки: активованій, спосіб, основі, цезію, сцинтиляційний, талію, одержання, йодидом, матеріал, йодиду

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 77818

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Самойлов Віктор Леонідович, Заславський Борис Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Шишкін Олег Валерійович, Волошко Олександр Юрійович, Кисіль Олена Михайлівна, Софронов Дмитро Семенович

МПК: G01N 25/56, G01N 27/22

Мітки: виміру, йодидів, матеріалів, солей, вологості, металів, спосіб, лужних, зокрема

Формула / Реферат:

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів, який полягає в тому, що досліджуваний матеріал поміщають у ємнісну комірку, яку включають у вимірювальний ланцюг джерела змінної напруги, вимірюють її ємність і, використовуючи попереднє градуювання, визначають значення вологості, який відрізняється тим, що як ємнісну комірку використовують відкачну кварцову ампулу, яку поміщають між щільно прилягаючими обкладками...

Номер патенту: 46202

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Кисіль Іван Іванович, Васецький Сергій Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву, що містить ростову камеру, розташовані в ній тигель для розплаву, обладнаний бічним і донним нагрівачами, встановлений над камерою росту бункер із вихідною сировиною, сполучений транспортною трубкою з рідкофазним живильником, який має тигель для розплаву, яким підживлюють, автономний нагрівач і зливальну трубку, введену крізь дно зазначеного тигля, шток кристалотримача, введений через кришку...

Номер патенту: 34650

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Гершун Олександр Сергійович, Гресь Валерія Юріївна, Заславський Борис Григорович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Кудін Олександр Михайлович

МПК: G01T 1/202, G01T 1/00

Мітки: спосіб, детектора, виготовлення, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного детектора, який включає отримання дифузного відбивача на поверхні сцинтилятора шляхом розчинення поверхневого шару кристалу водою з наступним сушінням у зневодненому боксі та пакування кристалу у герметичний контейнер, який відрізняється тим, що сушіння кристалу проводять в атмосфері вуглекислого газу, а потім, при пакуванні сцинтилятора у герметичний контейнер, у його об'ємі створюють атмосферу...

Номер патенту: 20960

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Мітічкін Анатолій Іванович, Васецький Сергій Іванович, Даниленко Едуард Васильович, Панова Олександра Миколаівна, Заславський Борис Григорович, Соломаха Юрій Олексійович, Шпилинська Лариса Миколаівна

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, металів, лужних, автоматизованого, основі, йодидів, монокристалів, сцинтиляційних, витягування

Формула / Реферат:

Способавтоматизированного вытягивания сцинтилляционных монокристаллов на основе иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного сырья в питатель, его вакуумную сушку, плавление, перекачку части расплава в тигель, радиальный рост и рост в высоту с одновременной подпиткой расплавом, отличающийся тем, что вводят иод или иодирующий агент в питатель после плавления сырья в нем, а подпитку осуществляют расплавом, содержащим растворенный...

Номер патенту: 16729

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Даниленко Едуард Васильович, Колоколова Тамара Григорівна, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розплаву, монокристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристал­лов из расплава, включающее металлическую во-доохлаждаемую камеру роста, тигель для расплава, размещенный в камере, нагреватель, расположенный с внешней стороны тигля и имею­щий тепловые экраны, затравкодержатель, уста­новленный над тиглем на штоке, причем на внутреннюю поверхность камеры и поверхность штока нанесено защитное покрытие, отличающе­еся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства и...

Номер патенту: 16672

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Апілат Віталій Якович, Єфременко Галина Борисівна, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, розплаву, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

1. Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру со смотровым окном, выполненным из оптически прозрачного элемента, установленного с помощью уплотняющих прокладок в корпусе камеры, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения очистки элемента в процессе роста, элемент установлен между уплотняющими прокладками с возможностью перемещения и имеет форму плоскопараллельной пластины, размер...

Номер патенту: 16668

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Апілат Віталій Якович, Мюлендорф Олег Сергійович, Лисовиченко Любов Дмитрівна, Заславський Борис Григорович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: витягання, пристрій, розплаву, кристалів

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее ростовую камеру, располо­женные в ней тигель для расплава, установленный в нем питатель, соединенный с ним через дозатор транспортной трубкой, введенной вертикально в дозатор, и выполненный в виде тіра, средство регу­лирования уровня расплава в тигле и нагреватели, размещенные под тиглем и коаксиально с внешней стороны тигля и питатеяя, отличающееся тем, что, с целью получения...

Номер патенту: 16733

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Заславський Борис Григорович, Гершун Олександр Сергійович, Янкелевич Володимир Леонідович, Шицель Любов Абрамівна, Южелевський Юлій Абрамович, Лебедєва Зоя Сергіївна, Нікуліна Раїса Олександрівна, Андрющенко Любов Андріївна

МПК: G01T 1/20

Мітки: сцинтиляційного, елемент, оптичного, детектора, зв'язку

Формула / Реферат:

Элемент оптической связи сцинтилляцион-ного детектора, содержащий полиорганосилокса-новый каучук и отвердитель, отличающийся тем, что, с целью повышения светопропускания и адге-зионной способности, каучук содержит 1,5-2 мол. °/о метилвинилсилоксановых звеньев и комп­лексное соединение платины в виде платинохлори-стоводородной кислоты, содержащее 10—10 мас. ч. платины по отношению к массе каучука, а в качестве отвердителя использован...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Соломаха Юрій Олексійович, Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович, Стаднік Петро Омел'янович, Даниленко Едуард Васильович, Гавриш Валентина Олексіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: здійснення, процесом, керування, спосіб, розплаву, кристалу, витягування

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...