C30B 15/02 — додаванням до розплаву кристаллизующегося матеріалу або реагентів, що утворюють його безпосередньо в процесі

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: розплаву, витягування, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C01B 33/00, C30B 29/06 ...

Мітки: зливка, індукційним, елементів, виготовлення, сонячних, придатного, мультикристалічного, спосіб, кремнію, одержання, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/08, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: розплавленому, одержання, кремнію, установка, подачі, плавильній, вигляді, містить, зливків, матеріалу, завантажувального, вузол

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06, C30B 35/00 ...

Мітки: кремнієвих, мультикристалічних, вирощування, злитків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/02 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, кремнію, елементів, сонячних, придатного, одержання, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Курцев Данііл Олександрович, Волошина Олеся Василівна, Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович, Жуков Леонід Семенович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: спосіб, розплаву, лютецію, оксіортосилікатів, кристалів, вирощування, одержання, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Мітічкін Анатолій Іванович, Васецький Сергій Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Заславський Борис Григорович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/10, C30B 15/00, C30B 15/02 ...

Мітки: основі, одержання, спосіб, талію, цезію, сцинтиляційний, йодиду, йодидом, активованій, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C30B 13/00, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: кристалізації, шляхом, чохральського, одержуваного, методом, еремнію, плавки, зливка, направленої, зонної, полікристалічного, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 84653

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Комар Фідель Леонідович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/037, C01B 33/021 ...

Мітки: спосіб, металургійного, очищення, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...

Номер патенту: 23104

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Карась Микола Іванович, Комаринський Олексій Миколайович, Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Швець Євген Якович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, кремнію, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, який знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відривання монокристала від...

Номер патенту: 22770

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, вирощування, спосіб, кремнію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відрив монокристала від розплаву,...

Номер патенту: 16673

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: легування, процесі, вакуумної, спосіб, плавки, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів в процесі вакуумної плавки, що здійснюють шляхом подачі з випарника через сопло паропроводу на розплав потоку легуючої речовини, який відрізняється тим, що потік легуючої речовини після виходу з сопла пропускають через отвір в екрані, встановленому паралельно поверхні розплаву.

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Повстяний Володимир Григорович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, методом, чохральського, вирощування, монокристалів, нього, пристрій, спосіб, екрануючий

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Руденко Сергій Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристала, кремнію, спосіб, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Маковський Валерій Георгієвич, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Клевець Сергій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: повторного, завантаження, пристрій, матеріалу, тигель

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Номер патенту: 46202

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Заславський Борис Григорович, Ляхов Віктор Васильович, Васецький Сергій Іванович, Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: пристрій, монокристалів, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву, що містить ростову камеру, розташовані в ній тигель для розплаву, обладнаний бічним і донним нагрівачами, встановлений над камерою росту бункер із вихідною сировиною, сполучений транспортною трубкою з рідкофазним живильником, який має тигель для розплаву, яким підживлюють, автономний нагрівач і зливальну трубку, введену крізь дно зазначеного тигля, шток кристалотримача, введений через кришку...

Номер патенту: 34204

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Турок Іван Іванович, Пуга Павло Павлович, Головей Вадим Михайлович, Головей Михайло Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, тетраборату, літію

Текст:

...ростова установка додатково обладнана дозатором і системою підживлення, яка компенсує втрати маси розплаву за рахунок випаровування оксиду бору. Оксид бору додають у розплав до і в процесі витягування із швидкістю 0,0015 г за годину на 1 см 2 вільної поверхні розплаву. Не вдається досягти рівномірного дозування, оскільки дуже мала вагова швидкість підживлення. Крім того, надмірна кількість оксиду бору в приповерхневих шарах розплаву...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, росту, одержання, спосіб, порушенні, монокристалів, монокристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.

Номер патенту: 20960

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Заславський Борис Григорович, Панова Олександра Миколаівна, Соломаха Юрій Олексійович, Васецький Сергій Іванович, Даниленко Едуард Васильович, Мітічкін Анатолій Іванович, Шпилинська Лариса Миколаівна

МПК: C30B 15/02

Мітки: основі, монокристалів, лужних, йодидів, металів, спосіб, автоматизованого, витягування, сцинтиляційних

Формула / Реферат:

Способавтоматизированного вытягивания сцинтилляционных монокристаллов на основе иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного сырья в питатель, его вакуумную сушку, плавление, перекачку части расплава в тигель, радиальный рост и рост в высоту с одновременной подпиткой расплавом, отличающийся тем, что вводят иод или иодирующий агент в питатель после плавления сырья в нем, а подпитку осуществляют расплавом, содержащим растворенный...

Номер патенту: 16668

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Мюлендорф Олег Сергійович, Лисовиченко Любов Дмитрівна, Апілат Віталій Якович, Заславський Борис Григорович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кристалів, пристрій, розплаву, витягання

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее ростовую камеру, располо­женные в ней тигель для расплава, установленный в нем питатель, соединенный с ним через дозатор транспортной трубкой, введенной вертикально в дозатор, и выполненный в виде тіра, средство регу­лирования уровня расплава в тигле и нагреватели, размещенные под тиглем и коаксиально с внешней стороны тигля и питатеяя, отличающееся тем, что, с целью получения...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Горілецький Валентин Іванович, Любинський Вадим Рувимович, Радкевич Олексій Вікторович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кристалів, розплаву, витягування, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...