Вострецов Юрій Якович

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Дубовік Олександр Михайлович, Даневич Федір Анатолійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович, Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: одержання, зокрема, спосіб, сцинтиляційного, детектор, магнію, монокристала, вольфрамату, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Номер патенту: 77543

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вольфрамату, монокристалів, кадмію, легованого, сцинтиляційних, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, що включає наплавлення шихти стехіометричного складу і вирощування методом Чохральського, який відрізняється тим, що додатково використовують сполуки літію в кількості 5х10-4-1х10-1 мол. % як легуючу добавку. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сполуками літію є вольфрамат літію та/або карбонат літію.

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович, Пирогов Євген Миколайович, Овечкін Андрій Євгенійович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: термообробки, вольфрамату, спосіб, монокристалів, кадмію

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Віноград Едуард Львович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, кадмію, вирощування, вольфрамату, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.