Спосіб термообробки монокристалів вольфрамату кадмію

СПУЛ' ШЯ СЛУЖТБМОГО ПОЛЬЗОПАПИЯ 3fC3 СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН 30 В 33/00, 29/32 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4391854/23-26 (22) 1 3 . 0 1 . 8 8 ( 7 2 ) Л.Л. Нагорная, А.Е. Овечкин, Е.Н. Пирогов и Ю.Я. Вострецов (53) 6 2 1 . 3 1 5 . 5 2 9 ( 0 8 8 . 8 ) (56) Шаскольская М.П., Акустические кристаллы. М.: Наука, 1982, с . 632. Патент ФРГ № 3148988, к л . С 30 В 3 3 / 0 0 , 1981. (5 4) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА К Д И АМ Я (5 7) Изобретение к а с а е т с я обработки к р и с т а л л о в , может быть использовано при промышленном производстве моно Изобретение к а с а е т с я обработки монокристаллов и может быть и с п о л ь з о вано при промышленном производстве монокристаллов вольфрама кадмия, пред назначенных для регистрации и спектро метрии р е н т г е н о в с к о г о и гамма-излучения . Целью изобретения я в л я е т с я увеличе ние выхода годных и повышение светово го выхода к р и с т а л л о в . П р и м е р 1 . Кристалл вольфрамата кадмия CdWO^ размеров 10*10*3 мм-^ нагревают в вакууме ( 1 0 " торр) до 400°С со скоростью 50 г р а д / ч , выдерживают 4 ч , з а т е м нагревают до 700 С в атмосфере воздуха со скоростью 100 г р а д / ч и выдерживают при этой температуре 24 ч , после ч е г о проводят охлаждение со скоростью 50 г р а д / ч . Фиксируют, что световой выход с к р и с т а л л а относительно C s I ( T l ) и е г о энер г е т и ч е с к о е разрешение R по линии 38-89 кристаллов вольфрамата кадмия и п о з воляет увеличить выход годных к р и с таллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со с к о ростью 50-100 град/ч до 38О-45О°С, и выдерживают в течение 2-5 ч . Затем проводят их термообработку в к и с л о родсодержащей атмосфере. При этом нагрев ведут со скоростью 50^ 100 г р а д / ч до 64О~95О°С, выдержку осуществляют в течение 10-25 ч , а охлаждение проводят со скоростью 30-50 г р а д / ч . Достигают увеличение с в е т о в о г о выхода кристаллов относительно с в е т о в о г о выхода кристаллов C s I ( T l ) до 43%. (ЗТ С 5 (Е = 0 , 6 6 2 МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после о б р а б о т ки 43 и 10,3% с о о т в е т с т в е н н о . Достигают увеличения с в е т о в о г о выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает р е з у л ь т а т 5-7% получаемый согласно прототипу. В таблице приведены значения с в е т о вого выхода отработанных кристаллов .относительно с в е т о в о г о выхода к р и с т а л їлов в зависимости от условий о б р а б о т ки, 1 Из таблицы видно, что у всех о б р а з цов после обработки по предлагаемому способу световой выход увеличен на 15-20% относительно исходной величины, т о г д а как по способу-прототипу (пример 5) на 5%. Выход годных кристаллов увеличивается в несколько раз. О 1515796 и з о б р е т е н и я тельно нагрев ведут со скоростью 50*100 град/ч при непрерывной откачке 'Способ термообработки монокрисдо 380-450°С с последующей выдержкой таллов вольфрамата кадмия, включающий г в течение 2-5 ч , затем откачку прекнагрев, выдержку и охлаждение в кисло- ращают, вводят кислородсодержащую атр од содержащей атмосфере, о т л и ч амосферу, продолжают нагрев с той же ю щ и й с я тем, что, с целью увелискоростью до 640-950°С и выдержкой в чеггия выхода годных и повъвцения светечение 10-25 ч , а охлаждение провотового выхода кристаллов, предварив ю дят со скоростью 30-50 град/ч. Ф о р м у л а Нагрев в вакуумр Термообработка в кислородсодержащей атмосфере температура, 0 С температура, °С длительность выдержки , ч 450 450 450 Редактор М. Самерханова 5 5 5 І 700 900 950 1050 длительность выдержки. ч 15 15 1 5 10 Составитель В.Безбородова Техред Л.Олийчык Световой ' выход относительно светового выхода кристаллов CsT(Tl) , 37,0 43,7 44,4 38,7 39,0 Корректор Т. Палии Заказ 1951/ДСП Тираж 236 Подписное ВПИШИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101