Тупіцина Ірина Аркадіївна

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Сідлецький Олег Цезарович, Галкін Сергій Миколайович, Півень Леонід Олексійович, Онищенко Геннадій Михайлович, Сідельнікова Лідія Юріївна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/10, G01T 1/202 ...

Мітки: іонізуючого, зокрема, випромінювання, комбінований, детектор, гамма-нейтронного

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Якубовська Ганна Георгіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Дубовік Олександр Михайлович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/10, C30B 29/32 ...

Мітки: сцинтиляційний, монокристал, вольфрамату, основі, цинку

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Дубовік Олександр Михайлович, Даневич Федір Анатолійович, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: одержання, вольфрамату, основі, спосіб, зокрема, детектор, монокристала, магнію, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: спосіб, сцинтиляційних, кадмію, монокристалів, вольфрамату, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Номер патенту: 77543

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кадмію, вольфрамату, сцинтиляційних, монокристалів, спосіб, легованого, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, що включає наплавлення шихти стехіометричного складу і вирощування методом Чохральського, який відрізняється тим, що додатково використовують сполуки літію в кількості 5х10-4-1х10-1 мол. % як легуючу добавку. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сполуками літію є вольфрамат літію та/або карбонат літію.

Номер патенту: 19641

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Востецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: сцинтиляційних, вольфраму, монокристалів, свинцю, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Віноград Едуард Львович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: кадмію, монокристалів, вольфрамату, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.