Пирогов Євген Миколайович

Номер патенту: 112188

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Пирогов Микола Іванович, Климушин Андрій Дмитрович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: A61B 17/66, A61B 17/58, A61B 17/64 ...

Мітки: остеосинтезу, пристрій, черезкісткового, здійснення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Стрижневий компресійно-дистракційний апарат, що складається з нерухомої платформи у вигляді балки і встановленій на ній рухомої платформи, вертикальних регулюючих різьбових стрижнів, на яких з двох сторін встановлені гайки з шайбами, який відрізняється тим, що він оснащений електричним приводом, який з′єднаний за допомогою електричних дротів з програмованим таймером і за допомогою штока з важелем, другий кінець важеля через...

Номер патенту: 98417

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пирогов Євген Миколайович

МПК: A61B 17/74, A61B 17/56

Мітки: стегнової, переломів, шийки, спосіб, кістки, здійснення, пристрій, медіальних, лікування

Формула / Реферат:

1. Спосіб лікування медіальних переломів шийки стегнової кістки, що включає введення деротаційної спиці через верхівку великого вертела і різьбового стрижня співвісно шийці в головку стегнової кістки, який відрізняється тим, що на дистальний кінець різьбового стрижня обертальними рухами встановлюють упор зі стопорним механізмом до утворення щільного контакту упорних зубців з зовнішнім кортикалом підвертельної зони стегна у площині перелому,...

Номер патенту: 98398

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Пирогов Микола Іванович

МПК: A61B 17/66, A61B 17/56, A61B 17/74 ...

Мітки: остеосинтезу, черезкісткового, спосіб, пристрій, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб черезкісткового остеосинтезу, згідно з яким послідовно в проксимальниий та дистальний фрагмент по зовнішньо-внутрішній поверхні гомілки вкручують вертикальні різьбові стрижні через насічки шкіри, нерухому платформу зі встановленою на ній рухомою платформою вводять у напрямку вертикальних різьбових стрижнів, виконують закриту апаратну репозицію, за допомогою вертикальних і горизонтальних різьбових стрижнів, і переміщення рухомої...

Номер патенту: 62660

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Пирогов Микола Іванович

МПК: A61B 17/56, A61B 17/74

Мітки: переломів, апарат, шийки, медіальних, лікування, компресійний, кістки, стегнової

Формула / Реферат:

Компресійний апарат для лікування медіальних переломів шийки стегнової кістки, що складається з стрижневого апарату, затискачів, гладких стрижнів, трубки-упору з зубчастим робочим кінцем, причому середній стрижень розташований у центрі шийки стегнової кістки, а два інших - по краях, який відрізняється тим, що робочий кінець трубки-упору виконаний у вигляді трьох-чотирьох зубців, які відхилені від центру трубки-упору.

Номер патенту: 58148

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Климушин Андрій Дмитрович, Пирогов Євген Миколайович, Пирогов Микола Іванович

МПК: A61B 17/56, A61B 17/74

Мітки: кістки, стегнової, медіальних, компресійний, переломів, лікування, апарат, шийки

Формула / Реферат:

Компресійний апарат для лікування медіальних переломів шийки стегнової кістки, що складається з стрижневого апарата, затискачів, гладких стрижнів, трубки-упору, причому середній стрижень розташований у центрі шийки стегнової кістки, а два інших - по краях, який відрізняється тим, що робочий кінець трубки-упору виконаний зубчастим.

Номер патенту: 55724

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Климушин Андрій Дмитрович, Пирогов Микола Іванович

МПК: A61B 17/74, A61B 17/56

Мітки: медіальних, стегнової, лікування, переломів, шийки, кістки, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб лікування медіальних переломів шийки стегнової кістки, що полягає у введені трьох гладких стрижнів діаметром 3-4 мм співвісно шийці в головку стегнової кістки паралельно один одному, причому середній стрижень розташований у центрі шийки стегнової кістки, а два інших - по краях, який відрізняється тим, що середній стрижень витягується і на його місце по каналу, що ним утворився, вкручується стрижень з крупною спонгіозною різьбою,...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: германату, вісмуту, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бабійчук Інна Петрівна, Козлов Сергій Миколайович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: B28D 5/00, B24B 1/00

Мітки: сингонії, обробки, кристалів, моноклінної, анізотропних, механічної, зокрема, спосіб

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорійович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Бабійчук Інна Петрівна, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Нагорна Людмила Лаврентієвна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: термічної, спосіб, обробки, монокристалів, вольфрамату, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 53056

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Гапоненко Євген Анатолійович, Аблогін Микола Миколайович, Пирогов Микола Іванович

МПК: A61B 17/66

Мітки: остеосинтезу, апарат, черезкісткового

Формула / Реферат:

1. Апарат для черезкісткового остеосинтезу, що містить опору у вигляді балки і встановленого на ній повзуна, який відрізняється тим, що повзун виконаний у вигляді корпуса, а балка у вигляді зубчастої рейки, що має, як мінімум, на одному поздовжньому боці нарізні зубці, причому зубчаста рейка і корпус з'єднані регулювальними кронштейнами з пластинчастими шпилькоутримувачами.2. Апарат за п. 1, який відрізняється тим, що кінці...

Номер патенту: 25484

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Табачний Леонід Якович, Бурчас Станіслав Феліксович, Півень Леонід Олексійович, Пирогов Євген Миколайович, Соломатин Юрій Петрович, Коваль Олександр Федорович, Грінчук Іван Романович, Хара Георгій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/20

Мітки: амеріцію-241, пробах, визначення, активності, спосіб, питомої

Формула / Реферат:

Спосіб визначення питомої активності америцію-241 у пробах, що включає реєстрацію гамма-квантів детектором, аналіз і селекцію електричних імпульсів детектора по амплітуді, вимірювання середніх швидкостей лічіння імпульсів у вікнах фотопіку гамма-випромінювання америцію-241 з енергією квантів 59,5кеВ і безперервного розподілу, зсунутого від фотопіку америцію-241 у бік високих енергій при наявності проби та без неї, визначення завади від...

Номер патенту: 25382

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Деомидович, Пирогов Євген Миколайович, Желтоножський Віктор Олександрович, Табачний Леонід Якович, Коваль Олександр Федорович, Півень Леонід Олексійович, Бондарьков Михайло Дмитрович, Садовников Леонід Володимирович

МПК: G01T 1/20

Мітки: питомої, активності, визначення, пробах, спосіб, амеріцію-241

Формула / Реферат:

Способ определения удельной активности америция-241 в пробах, включающий регистрацию гамма-квантов детектором, анализ и селекцию электрических импульсов детектора по амплитуде, измерение средней скорости счета импульсов в окнах фотопика гамма-излучения америция-241 с энергией квантов 59,5кэВ и непрерывного распределения в присутствии пробы и без нее, определение помехи от сопутствующих америцию-241 в пробах радионуклидов по этим измерениям с...

Номер патенту: 24488

Опубліковано: 21.07.1998

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Грінчук Іван Романович, Кривошеін Вадим Іванович, Коваль Олександр Федорович, Табачний Леонід Якович, Рижиков Володимир Діимидович, Козлов Сергій Миколайович, Соломатин Юрій Петрович, Півень Леонід Олексійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: G01T 1/15, G01R 23/00

Мітки: спосіб, виготовлення, реєстрації, гамма-випромінювання, сцинтиблок

Формула / Реферат:

1. Сцинтиблок для регистрации гамма-излучения, содержащий сцинтиллятор и фотоэлектронный умножитель, оптически сочлененные элементом оптической связи, выполненном на основе кремнийорганического соединения, отличающийся тем, что выходная поверхность сцинтиллятора, прилегающая к элементу оптической связи, выполнена с шероховатостью 0,8 - 1,4мкм, а другие его поверхности - с шероховатостью 1,5 - 2,5мкм.2. Способ изготовления сцинтиблока...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Овечкін Андрій Євгенійович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, вольфрамату, кадмію, термообробки, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 16688

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горішній Юрій Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Загвоздкін Борис Васильович, Литичевський Маркс Ізрайлович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 11/00

Мітки: шихти, синтезу, спосіб, пристрій, наплавлення, здійснення, германоевлитину

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза и наплавления шихты гер-маноэвлинита для выращивания кристаллов, включающий загрузку исходного сырья и нагрев его в печи, твердофазный синтез при нагреве со скоростью 10-20 град/мин, выдержку и охлажде­ние в тигле, отличающийся тем, что. с целью обес­печения полноты синтеза, улучшения качества кристаллов и снижения их себестоимости, сырье загружают в бункер, устанавливают его над тиглем и помещают в печь, предварительно...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Тіман Беніамін Липович, Бурачас Станіслав Феліксович, Загвоздкін Борис Васильович, Бондаренко Станіслав Костянтинович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, германату, вирощування, вісмуту, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горішній Юрій Васильович, Кривошеін Вадим Іванович, Салійчук Олена Костянтинівна, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Федорова Надія Миколаївна, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00, C30B 11/02 ...

Мітки: евлітину, вісмуту, спосіб, монокристалів, структурою, германату, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Номер патенту: 15327

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Літічевський Маркс Ізраільович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондарьков Михайло Дмитрович, Бурачас Станіслав Феліксович, Садовников Леонід Володимирович, Пирогов Євген Миколайович, Желтоножський Віктор Олександрович, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/202

Мітки: альфа-випромінювання, м'якого, гамма, реєстрації, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для регистрации мягкого гамма- и альфа-излучения, содержащее корпус, размещенные в нем оптически соединенные фотоприемник и сцинтиллятор в виде пластины, а также отражатель, отличающееся тем, что сцинтиллятор выполнен из монокристалла силиката гадолиния с селективно повышенной чувствительностью к гамма-излучению америция-241 с энергетическим разрешением не более 33%, при этом толщина пластины составляет 0,5 - 1мм, а корпус со...

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Волошин Василь Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, наплавління, складних, монокристалів, оксидів, шихти

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 13972

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Дідаш Інеса Микитівна, Ткаченко Валентин Федорович, Долгих Тамара Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеїн Вадим Іванович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: шихти, спосіб, германоевлитину, синтезу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза шихты германоэвлитина, предусматривающий обезвоживание исходных ок­сидов германия и висмута, сухое смешивание их в стехиометрическом соотношении, гомогенизацию, нагрев и двухстадийное твердофазное взаимодей­ствие, отличающийся тем, что стадии твердофазного взаимодействия осуществляют непрерывно:при температуре 730-810°С в течение 3-7 часов до получения фазы силленита, и при 870-910°С в те­чение 12-24 часов до...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Галкін Сергій Миколайович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Дідаш Інеса Микитівна, Долгих Тамара Миколаївна

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Мітки: вісмуту, відходів, переробки, спосіб, германату

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.

Номер патенту: 10560

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Говорова Ріма Олександрівна, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Квітницька Валентина Захарівна

МПК: G01T 1/00, G01T 1/20

Мітки: детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтнлляционный детектор, содержа­щий фотоприемник, сцинтиллятор, отражатель и световод, отличающийся тем, что световод, распо­ложенный между сцинтиллятором и отражателем, выполнен в виде прозрачного для света радиолю­минесценции и прилегающего к поверхности сцинтиллятора слоя, толщина которого выбрана из соотношениягде t - толщина слоя, ммrc - радиус сцинтиллятора, ммrф - радиус рабочей части фотоприемиика,...

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, виготовлення, вольфрамату, сцинтиляторів, кадмію

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощування, спосіб, сцинтиляційних, монокристалів, вольфрамату, кадмію

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: термообробки, кадмію, кристалів, вольфрамату, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діамидович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: спосіб, вісмуту, кристалів, германату, термообробки

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Мітки: металів, монокристалів, вирошування, коштовних, спосіб, тиглів, відновлення

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вісмуту, германату, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: спосіб, кристалів, термообробки, германату, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Загвоздкін Борис Васильович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

Мітки: вісмуту, спосіб, германату, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...