Вознюк Євгеній Федорович
Спосіб виготовлення гетеропереходу на основі шаруватого напівпровідника
Номер патенту: 14605
Опубліковано: 20.01.1997
Автори: Бобицький Ярослав Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Литовченко Володимир Григорович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вознюк Євгеній Федорович
МПК: H01L 31/00, H01L 21/04
Мітки: спосіб, гетеропереходу, виготовлення, шаруватого, основі, напівпровідника
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника, включающий механический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полупроводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте предполагаемого расположения электрического контакта, на это место наносят металл с соответствующей работой выхода, отслаивают по...