Спосіб контролю однорідності напівпровідників
Номер патенту: 43935
Опубліковано: 15.01.2002
Автори: Морозов Володимир Олексійович, Малютенко Володимир Костянтинович, Мороженко Василій Олександрович, Болгов Сергій Семенович, Глушков Євгеній Олександрович, Омеляновській Еразм Михайлович
Завантажити PDF файл.
Формула / Реферат
Формула изобретения
1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по однородности и контрасту теплового изображения определяют степень однородности полупроводника.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности при контроле однородности по составу полупроводникового соединения, регистрируют тепловое изображение образца в диапазоне длин волн, удовлетворяющих условию
l£hc/(Еg)мин,
где h - постоянная планка;
с - скорость света в вакууме;
l - длины волн, на которых регистрируют тепловое изображение полупроводника;
(Еg)мин - ориентировочно минимальная ширина запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности при контроле однородности распределения примеси, регистрируют тепловое изображение образца в диапазоне длин волн, удовлетворяющих условию
l>hc/(Еg)мин
Текст
Для ознайомлення з описом до патенту дивись: «Описание изобретения к авторскому свидетельству SU № 1376846»
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюMaliutenko Volodymyr Kostiantynovych, Bolhov Serhii Semenovych
Автори російськоюМалютенко Владимир Константинович, Болгов Сергей Семенович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/66
Мітки: напівпровідників, контролю, однорідності, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/1-43935-sposib-kontrolyu-odnoridnosti-napivprovidnikiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб контролю однорідності напівпровідників</a>
Засіб контролю однорідності напівпровідникової пластини
Номер патенту: 29571
Опубліковано: 15.11.2000
Автори: Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович, Савченко Ганна Павлівна
МПК: H01L 21/66
Мітки: однорідності, пластини, засіб, напівпровідникової, контролю
Текст:
...20 ра. На пути оптического пучка у с т а навливают коротковолновый фильтр и з лучения. Регулировка длинноволнового края поглощения достигается путем 25 его перемещения в направлении, перпендикулярном оптической оси линзовой системы. Фильтр имеет метки, п о казывающие ДЛИННОЕОЛНОВЬЕЙ край поглощения в данной точке фильтра. По этим меткам можно судить -о длине волны, 30 соответствующей границе фильтрации 7чгр на уровне оптической оси линзовой...
Спосіб контролю електрофізичних параметрів напівпровідників
Номер патенту: 11658
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Ергаков Валерій Костянтинович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Рябіков Віктор Михайлович, Сальков Євген Андрійович, Любченко Олексій Вікторович, Лукинський Юрій Леонідович
МПК: H01L 21/66
Мітки: напівпровідників, параметрів, контролю, спосіб, електрофізичних
Формула / Реферат:
Способ контроля электрофизических параметров полупроводников, основанный на измерении электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффициента Холла от величины магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвижности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...
Спосіб з’єднування деталей напівпровідників або напівпровідників з металами
Номер патенту: 19080
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Козловський Сергій Іванович, Романов Валентин Олександрович, Бабічев Геннадій Григорович
МПК: H01L 23/00
Мітки: спосіб, з'єднування, напівпровідників, деталей, металами
Формула / Реферат:
1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов...
Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в
Номер патенту: 7501
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: формування, приладів, електронах, типу, напівпровідників, основі, спосіб, контактів, гарячих
Формула / Реферат:
Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерного и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цикле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...
Спосіб формування матрично-капельного контакту до напівпровідників a iii b v
Номер патенту: 24110
Опубліковано: 31.08.1998
Автори: Сумська Тамара Севастянівна, Яшнік Владілен Макарович, Іванов Володимир Миколайович, Челюбєєв Віктор Миколайович
МПК: H01L 21/24, H01L 21/18
Мітки: контакту, напівпровідників, формування, матрично-капельного, спосіб
Текст:
...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...
Попередній патент: Спосіб виробництва хліба
Наступний патент: Джерело електромагнітного випромінювання
Випадковий патент: Рухомий намагнічувальний пристрій (варіанти)