Фотошаблон

-03133 ДЛЯ СЛУЖРБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ N » СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (19) SU,,., Ї074268 за» G 03 С 5/00; G 03 F 1/00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3482336/18-21 (22) 02.08.82 '72) А-Ф.Андреева, И.Я.Гильман, М.Д.Смолин и Г.И.Осипова '71) Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН УССР (53) 621.382.002 (088.8) (56) 1.Microelectronics,1976, 8, * 1,Р.9-15. 2.Ф.П.Пресс "Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем", М., Сов.радио,1978, с.27-29 (прототип). Я/7» (5і*) (57) ФОТОШАБЛОН, содержащий прозрачную подложку с расположенным на ее поверхности маскирующим слоем, в котором сформирован рисунок, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества фотошаблона за счет повышения разрешающей способности и улучшения спектральных характеристик, маскирующий слой выполнен из высших окислов празеодима (Рг 6 О м ) или тербия ( Т Ь 4 О 7 ) . і (Л 350 3DD 1 1074 Изобретение относится к обпасти электронной техники и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов . Известен фотошаблон, маскирующий. 5 слой которого выполнен на основе пленок хрома, молибдена, висмута [ J 1 Недостатком данного фотошаблона является низкая разрешающая способность из-за высокого отра'0 жения металлической пленки и невозможность визуального совмещения фотошаблона с рисунком схемы из-за недостаточного пропускания в видимой области спектра. 15 Наиболее близким техническим решением к изобретению является фотошаблон, содержащий прозрачную подложку с расположенным на ее поверхности маскирующим слоем, в котором 20 сформирован рисунок [2J . Данный фотошаблон состоит из пленки аморфной окиси железа, нанесенной либо методом пиролиза пентакарбонила железа, либо реактивным 25 катодным распылением диска-катода из железа на прозрачную подложку из стекла. Рисунок формируется методом обычной фотолитографии, либо селективной термообработкой пленки 30 для перевода из аморфного, растворимого в обычных растворителях состоянии, в кристаллическое нерастворимое и селективным удалением . участков аморфного окисла. Фотошаблон на основе пленок окиси железа обладает высокой износоустойчивостью, хорошей адгезией к подложке и благодаря частичному пропусканию видимого света (*-30л) позволяет проводить визуальное совмещение фотошаблона с рисунком схемы. лоляла>е к ухупшешьо разрешающей способности Фотошаблона. Цель изобретения - повышение качества фотошаблона за счет повышения разрешающей способности и улучшения „спектральных характеристик. Поставленная цель достигается тем, что в фотошаблоне, содержащем прозрачную подложку с расположенным на ее поверхности маскирующим слоем, в котором сформирован рисунок, маскирующий слои выполнен из высших окислов празеодима (Рг, 0 , ) или тербия , (ть 4 о г ). ' Маскирующие слои толщиной 200400 нм фотошаблона на стеклянных (стекло К-8 j либо кварцевых подложках получают методом реакционного термического испарения либо катодного распыления. Для стабилизации оптических характеристик фотошаблона необходима термообработка на воздухе при температуре 500°С. На чертеже представлена типичная спектральзависимость пропускания (Т) и отражения (R) фотошаблона с слоями из Рг^О^ или tмаскирующими Tb^Oj толщиной 300 нм. Видно, что фотошаблон полностью поглощает в ультрафиолетовой области спектра (оптическая плотность поглощения для длин волн меньше 400 нм ~2) и обладает незначительным отражением (^-5%) и большим пропусканием і — 70% J в видимой области спектра . При толщине маскирующего слоя фотошаблона 200-400 нм пропускание фотошаблона в видимой области спектра (Л = 500-800 нм) составляет ' 50-70%, оптическая плотность поглощения в ультрафиолетовой области спектра (\ £ 400 нм) - ^2. Отражение / такого фотошаблона составляет 5-6%, Недостатком фотошаблона является высокий уровень его дефектности и 45 что значительно ниже, чем у фотошаблона с маскирующими слоями окиси желенеоднородность процесса травления за либо хрома. маскирующего слоя, обусловленные возникновением в интервале температур Таким образом, использование фо120-140 С в процессе изготовления тошаблона на основе высших окислов маскирующего слоя окиси железа и празеодима или тербия за счет повы50 двух фаз: аморфной и кристалличесшения их качества позволит значикой, а также значительное отражетельно повысить процент выхода ние ^20-30%) маскирующего слоя, пригодных приборов. ВНИИПИ Заказ 4704/ДСП Тираж 240 Подписное Филиал Ш Ш "Патент"» г.Ужгород, ул.Проектная, £