G03F 7/26 — обробка світлочутливих матеріалів; пристрої для цієї мети
Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах позитивних халькогенідних резистів
Номер патенту: 100965
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Минько Віктор Іванович, Луканюк Марія Василівна, Шепелявий Петро Євгенович, Індутний Іван Захарович, Данько Віктор Андрійович
МПК: G03F 1/56, G03F 7/26, G03G 5/10 ...
Мітки: резистів, шарах, масок, позитивних, періодичних, структур, літографічних, формування, спосіб, халькогенідних, рельєфно-фазових
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду,...
Фотошаблон і спосіб його виготовлення
Номер патенту: 11369
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Порицький Марк Львович, Андреєва Ася Фантинівна, Матусевич Едуард Іванович
МПК: G03C 5/00, G03F 7/26
Мітки: спосіб, фотошаблон, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Фотошаблон, содержащий прозрачную для актиничного излучения подложку с маскирующим слоем на ее поверхности, содержащим прозрачные участки и непрозрачные, выполненные из оксида празсодима в соответствии с топологическим рисунком, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона и улучшения его оптических характеристик, прозрачные участки маскирующего слоя выполнены из полуторного окисла празеодима.2. Способ...