Напівпровідниковий термоелектричний матеріал

Термоелектричний матеріал на основі Bi-TeSe-Sb для термоелектричних генераторів, який відрізняється тим, що має склад Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,9-x, де (0,005>х>0,004), що включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06 у 0,05). (19) (21) u200602068 (22) 24.02.2006 (24) 15.08.2006 (46) 15.08.2006, Бюл. № 8, 2006 р. (72) Копил Олександр Іванович, Термена Ірина Святославівна (73) ІНСТИТУТ ТЕРМОЕЛЕКТРИКИ 3 16624 4 Таблиця Модуль Алтек 1061 Рівень легування матеріалу Термоелектричний матеріал р-типу провідності прототип По фомулі винаходу По фомулі винаходу По фомулі винаходу По фомулі винаходу Рb, % вагов. Характеристики одержаного кристала 0,15 х=0,004 у=0,05 0,15 х=0,005 у=0,06 0,22 х=0,004 у=0,05 0,22 х=0,005 у=0,06 ,Омсм-1 10 мкВт/см К2 174 169 1750 1900 53.0 54,3 8 9,1 6,5 6,6 Спад потужності в %, через 3000 годин роботи 2,1 1,9 167 1950 54,4 9,3 6,6 1,9 164 2050 55 9,6 6,55 2 160 Рb1-уСeуТе % вагов. 0.075 2100 53.8 9,0 6,6 1,8 , мкВ/ К Аналіз даних, наведених в таблиці, показують, що максимальна потужність W=9-9,6Вт спостерігається у випадку, коли матеріал р-віток термоелектричного модуля відповідає складу Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,91-x, де (0,005>х>0,004), включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06 у 0,05). Застосування запропонованого матеріалу дозволяє в кінцевому рахунку підняти потужність термоелектричних генераторних модулів на 12,520%, Коефіцієнт корисної дії підвищується на 1,5%,при зростанні коефіцієнта часової стабільно Комп’ютерна верстка Н. Лисенко Характеристики модуля 1 2 -6 Коефіцієнт Потужність корисної W(Вт) дії (%) сті на 10%. Джерела інформації: 1. Летюченко С.Д., Копил О.І. Стабілізація параметрів термоелектричних матеріалів р-типу на основі (Ві2Те3)0,25(Sb2Те3)0,72(Sb2Sе3)0,03// Термоелектрика,- №4. - 2002.- С.43. 2. Кузнецов А.В., Летюченко С.Д., Моцкин В.В. Исследование связи между свойствами исходных и прессованых термоэлектрических материалов.// Термоэлектричество.- №2. - 2002.- С.44. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601