Беца Володимир Васильович

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16

Мітки: середньотемпературний, термоелектрик, основі, tl5.63bi0.70se3.67, евтектики

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: ефективний, середньотемпературний, термоелектрик, основі, евтектики, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: ефективності, snse2-tlbise2, термоелектричної, системі, сплаву, спосіб, евтектичного, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: системі, матеріал, термоелектричний, композиту, snse2-bi2se3, основі, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, основі, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, термоелектричний, композиту, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 19/00, C01G 17/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl4sns4, тетратіостанату, одержання, матеріалу, монокристалів, термоелектричного, спосіб, основі, талію(і

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: твердого, системі, розчину, тl9вise6-tl4snse4, термоелектричний, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/14, H01L 35/34 ...

Мітки: розчину, твердого, tpиtioctaнatу, одержання, tepmoeлektpичнoгo, cпociб, moнokpиctaлib, матеріалу, талію, основі, вигляді

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, термоелектричний, tl9bіsе6-tl4snse4, основі, твердого, розчину, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: основі, матеріал, системі, композиту, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: snse2, основі, композиту, системі, евтектичного, термоелектричний, матеріал, bi2se3

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 1/12, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: спосіб, термоелектричної, тетратіостанату, tl4sns4, покращення, монокристалів, талій, добротності

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Глух Олег Станіславович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: монокристалів, добротності, тритіостанату, покращення, термоелектричної, спосіб, талій, tl2sns3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Номер патенту: 59973

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: твердотільний, термоерс, формування, елемент, підвищеної

Формула / Реферат:

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, який містить сформований циліндр або паралелепіпед, який розміщений в електроізолюючому корпусі, та електроди, що притиснуті до протилежних торців циліндра або паралелепіпеда, який відрізняється тим, що циліндр або паралелепіпед виконаний із тетратіоцирконату талію (Tl4ZrS4), а між протилежними торцями елемента створений високий градієнт температури від  90° К  до 140° К.

Номер патенту: 80148

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: перетворювач, енергії, термоелектричний, електричну, теплової

Формула / Реферат:

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну, який містить циліндричний або прямокутний брусок із напівпровідникового матеріалу та електроди, що притиснуті до протилежних торців бруска, який відрізняється тим, що брусок виготовлено із метатіостаннату талію Tl2SnS3, який розміщений в електроізолюючому корпусі, а між притиснутими до протилежних торців бруска електродами встановлений градієнт температури 20-50 градусів, при цьому...

Номер патенту: 35194

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/12

Мітки: елемент, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний елемент, що містить напівпровідниковий матеріал, який відрізняється тим, що термоелектричний елемент сформовано на основі однієї термочутливої напівпровідникової сполуки - стержня із двох кристалоподібних частин з протилежними типами провідності та керованою температурою.

Номер патенту: 43181

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Застосування тетратіотитанату талію /ІУ/ - Tl4TiS4 як термоелектричного матеріалу.

Номер патенту: 20443

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Беца Володимир Васильович, Попик Юрій Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричними, напівпровідника, керування, спосіб, параметрами

Формула / Реферат:

Спосіб керування термоелектричними пара­метрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охоло­дження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...