Копил Олександр Іванович

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Копил Олександр Іванович, Литвин Петро Мар'янович, Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Оксана Степанівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Маланич Галина Петрівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: полірованої, твердих, плюмбум, розинів, поверхні, формування, телуриду, pb1-xsnxte, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Номер патенту: 62274

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Термена Ірина Святославівна, Струтинська Любов Тимофіївна, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, термоелектричного, процес, термоелементів, отримання, р-типу, основі, сегментних, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...

Номер патенту: 49632

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, сублімуючих, pbте, а4в6, pbgete, твердих, розчинів, монокристалів, напівпровідникових, вирощування, сполук, pbsnte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.

Номер патенту: 87353

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Микитюк Павло Дмитрович, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Мітки: монокристалів, а4в6, а2в6, вирощування, сублімації, методом, твердих, розчинів, сполук, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...

Номер патенту: 41450

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, процес, термоелектричного, матеріалу, bi-te-se-sb, основі

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролем їх параметрів, який відрізняється тим, що в процесі вирощування температуру зонного нагрівача при проходженні першої чверті злитка рівномірно поступово по лінійному закону збільшують на 25¸30 К, а на...

Номер патенту: 38415

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: bi-te-se-sb, основі, процес, термоелектричного, отримання, матеріалу

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...

Номер патенту: 16624

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Копил Олександр Іванович, Термена Ірина Святославівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: термоелектричний, матеріал, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі Bi-Te-Se-Sb для термоелектричних генераторів, який відрізняється тим, що має склад Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,9-x, де (0,005>х>0,004), що включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06у0,05).

Номер патенту: 10479

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, термоелектричного, матеріалу, процес, халькогенідів, твердих, провідності, р-типу, розчинів, отримання

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Ві і Sb, який включає етапи синтезу, охолодження, вертикальну зонну перекристалізацію та подальше вимірювання розподілу значень термоелектрорушійної сили (термоЕРС) і електропровідності вздовж злитка, який відрізняється тим, що невідповідні параметрам початкові та кінцеві за напрямком росту частини злитка відрізають і повторно сплавляють...

Номер патенту: 4424

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Середюк Олександр Іванович, Гречка Сергій Андрійович, Хрульов Геннадій Володимирович, Копил Олександр Іванович, Глущенко Володимир Федорович

МПК: C30B 13/00

Мітки: речовин, зонної, плавки, контейнер, летких

Формула / Реферат:

Контейнер для зонної плавки летких речовин, що виготовлений у вигляді труби, яка має нижню частину в формі човника для розплаву, на одному кінці труби виконаний виріз, утворений перерізом повздовжнього осьового розрізу з поперечним, обмежуючим циліндричну частину труби, який відрізняється тим, що другий кінець є циліндричним і закритий графітовою пробкою в формі стакана, глибина якого дорівнює подвійній ширині зони розплаву, зовнішня...

Номер патенту: 59570

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Летюченко Сергій Дмитрович, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 29/02, C30B 23/00

Мітки: методом, спосіб, вакуумної, очищення, дистиляції, телуру

Формула / Реферат:

Спосіб очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що включає його завантаження в кварцовий стакан зі звуженою горловиною, через яку відбувається масоперенос парів телуру, розміщення стакана в кварцовій реторті, вакуумування, плавлення при 923-943Κ в атмосфері водню при тиску 1,2-1,4 атм із дворазовою її заміною; сублімацію при температурі 753±10К, конденсацію на стінках реторти при температурі 600-673К, розплавлювання конденсату...