Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем на основі карбідокремнієвого композиційного матеріалу, який відрізняється тим, що заготівку емітера виготовляють з вуглеграфітової тканини, яку просочують розплавом кремнію у вакуумі ~5*10-3-1*10-3мм рт.ст. при температурі 1500...1800 °С.

Текст

Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем на основі карбідокремнієвого композиційного матеріалу, який відрізняється тим, що заготівку емітера виготовляють з вуглеграфітової тканини, яку просочують розплавом кремнію у вакуумі ~5*10-31*10-3мм рт.ст. при температурі 1500...1800 °С. (19) (21) u200706624 (22) 13.06.2007 (24) 26.11.2007 (72) КРАСНОВ ВАСИЛЬ ОЛЕКСАНДРОВИЧ, U A, АП АЗОВ ЕДУАРД СЕЙЯРОВИЧ, UA, ЧЕРНОВ АНДРІЙ ЮРІЙОВИЧ, U A (73) ХЕРСОНСЬКИЙ НАЦІОН АЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ, U A 3 27999 Це досягається тим, що в способі виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем на основі карбідокремнієвого композиційного матеріалу заготівку емітера виготовляють з вуглеграфітової тканини, яку просочують розплавом кремнію у вакуумі ~5*10-31*10-3мм рт.ст. при температурі - 1500...1800°С. Застосування вуглеграфітової тканини в якості заготівки дозволяє отримати механічно міцний емітер при малій його товщині (при необхідності), що досягається не тільки самою армуючою основою, але і складом емітера С£7,5%, Si£5,0% і С - залишок. Також застосування вуглетканини вирішує проблему повторюваності внутрішнього складу емітера, оскільки внутрішня структура тканини (розташування, діаметр і структура її волокон) задається технологічно на етапі її виробництва. А просочення кремнієм у вакуумі та висока температура дозволяють добитися низької пористості емітера, яка набагато нижче пористості прототипу, а також низького вмісту залишкового кремнію в кінцевому продукті. Необхідна форма емітера достатньо просто придається ще на етапі механічної обробки вуглетканини. Емітер одержують таким чином. За основу беруть вуглетканину. Проводять її розкрій і потім надають необхідну форму, тобто кінцеву форму емітера (звичайно у вигляді порожнистого циліндра). Після цього етапу заготівку приводять в контакт із заздалегідь розплавленим в тиглі кремнієм. При цьому кремній по волокнах вуглетканини рівномірно розподіляється по всьому об'єму вуглетканини. Паралельно з цим відбувається реакція кремнію з вуглецем, з якого складається вуглетканина: Si+С®SiC. Причому реакція відбувається при достатньо високій температурі 1500...1800°С. Після просочення всього об'єму заготівки кремнієм і після того, як прореагував весь вуглець, заготівку якийсь час витримують при температурі 1500.. 1800 °С. В процесі витримки надлишок кремнію випаровується і формується емітер з низьким вмістом як вуглецю, так і кремнію і з високим вмістом SiC в матеріалі. Запропонована корисна модель може також застосовуватися як теплозахисний екран для високотемпературних джерел, нагрівач опору, тигель. 4

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for manufacturing of an emitter for thermo-voltaic system

Автори англійською

Krasnov Vasyl Oleksandrovych, Alazov Eduard Seiyarovych, Chernov Andrii Yuriiovych

Назва патенту російською

Способ изготовления эмиттера для термовольтаических систем

Автори російською

Краснов Василий Александрович, Апазов Эдуард Сейярович, Чернов Андрей Юрьевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, термофотовольтаїчних, емітера, систем, виготовлення

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-27999-sposib-vigotovlennya-emitera-dlya-termofotovoltachnikh-sistem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем</a>

Подібні патенти