Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у масовому співвідношенні , , нагрів ампули здійснюють у два етапи: попередній нагрів при 830 К протягом 1 год. і синтез при температурі 1320 К протягом 1 год., потім подрібнені фракції синтезованої сполуки до (0,5-0,6) мм піддають гарячому пресуванню при тиску (1,2-5÷1,5) ГПа.

Текст

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витри 3 54902 Спосіб отримання термоелектричного сплаву на основі телуриду свинцю n-типу здійснюють таким чином. Як вихідні речовини використовують високочисті свинець і телур взяті у масовому співвідношенні mpb 61933 mpb 38,067 . Вихідні , речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певних температурах, потім її охолоджують, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Приклад конкретного виконання Вихідні речовини свинець марки С-000 і телур високої чистоти марки Т-ВЧ взяті у масовому спів Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 відношенні mPb 61,933 m Te 38,067 для nтипу, завантажують у вакуумовану кварцову ампулу і поміщають у піч, температуру піднімають у два етапи (попередній нагрів при 820К на протязі 1год. і синтез при температурі 1360К на протязі 1год.) при швидкості нагріву (60-80)К/год., потім охолоджують на повітрі до кімнатної температури при швидкості (60-80)К/год. Після чого одержані злитки дроблять до фракцій (0,5 0,6)мм і здійснюють гаряче пресування при тисках (1,2 1,5)ГПа. Робота виконана згідно проекту МОН України (державний реєстраційний номер 0110U000144). Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for producing thermoelectric selfalloyed pbte of n-type

Автори англійською

Halushak Marian Oleksiiovych, Freik Dmytro Mykhailovych, Karpash Maksym Olehovych, Boryk Viktor Vasyliovych

Назва патенту російською

Способ получения термоэлектрического самолегированного pbte n-типа

Автори російською

Галущак Марьян Алексеевич, Фреик Дмитрий Михайлович, Карпаш Максим Олегович, Борик Виктор Васильевич

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/00

Мітки: самолегованого, отримання, n-типу, термоелектричного, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-54902-sposib-otrimannya-termoelektrichnogo-samolegovanogo-pbte-n-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання термоелектричного самолегованого pbte n-типу</a>

Подібні патенти