Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів pbte-sb2te3
Номер патенту: 50778
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
Формула / Реферат
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, сурму і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють гомогонізаційний відпал, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець, сурму і телур беруть у співвідношенні, яке відповідає складу твердого розчину (PbTe)0,22(Sb2Te3)0,78..
Текст
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, 3 50778 поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу витримують при цій температурі і охолоджують, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гомогонізаційний відпал. Приклад конкретного виконання. Вихідні речовини свинець марки С000 і сурму, а також телур високої чистоти марки Т-В4 взяті у співвідношенні, що відповідають складу твердого розчину (PbTe)0,22(Sb2Te3)0,78 завантажують у вакуумовану кварцову ампулу і поміщають у піч, температура якої вище температури плавлення вихідний компонент, ампулу із вихідними речовинами Комп’ютерна верстка А. Крулевський 4 витримують при цій температурі і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і піддають гомогенізуючому відпалу при (1250 10) К на протязі 1 год. Отриманий термоелектричний матеріал за рахунок суттєвого зменшення теплопровідності ( ) і оптимальних значень коефіцієнта термо-е.р.с. ( ) і електропровідності ( ) має максимальне значення безрозмірної термоелектричної добротності zT= 1,12 при 583К, що на 28% вище ніж для чистого РbТе. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing thermoelectric material based on solid solutions of pbte-sb2te3
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Dykun Natalia Ivanivna, Zapukhliak Ruslan Ihorovych, Boryk Viktor Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ получения термоэлектрического материала на основе твердых растворов pbte-sb2те3
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Дыкун Наталья Ивановна, Запухляк Руслан Игоревич, Борик Виктор Васильевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, термоелектричного, матеріалу, pbte-sb2te3, спосіб, розчинів, твердих, основі
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-50778-sposib-otrimannya-termoelektrichnogo-materialu-na-osnovi-tverdikh-rozchiniv-pbte-sb2te3.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів pbte-sb2te3</a>
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-типу на основі твердих розчинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 50157
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: pb1-xsnxte, спосіб, p-типу, отримання, розчинів, основі, твердих, матеріалу, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-pbte
Номер патенту: 50087
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзумедзей Роман Олексійович, Шевчук Мирослава Олегівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: матеріалу, отримання, спосіб, p-pbte, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4<те>
Номер патенту: 46917
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Борик Віктор Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович
МПК: C30B 11/00
Мітки: р-pbsb2те4<те>, отримання, спосіб, нестехіометричного, термоелектричного, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу p-PbSb2Te4<Te>, який полягає в тому, що вихідну речовину свинець (Рb), сурму (Sb), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці PbSb2Te4, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4
Номер патенту: 46916
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, матеріалу, спосіб, р-pbsb2те4, нового, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю
Номер патенту: 27517
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна
МПК: C30B 1/00
Мітки: термоелектричного, отримання, спосіб, свинцю, матеріалу, основі, телуриду
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...
Попередній патент: Пристрій для зчитування інформації
Наступний патент: Високоефективне добриво для зернових культур
Випадковий патент: Турбінна олива