Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гаряче пресування у вакуумі, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплави (ВіхSb1-х)2Те3 - GеуРb1-уТе.

2. Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми по п. 1, який відрізняється тим, що використовують сплав складу 0,78(Ві0,4Sb0,6)2Те3+Gе0,21Рb0,79Те, який має найбільш оптимальні термоелектричні параметри.

Текст

1 Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речови ни, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гаряче пресування у вакуумі, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплави (BixSbi хЬТез GeyPbi уТе 2 Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми по п 1, який відрізняється тим, що використовують сплав складу 0,78(Bio4Sbo6)2Te3+Geo2iPbo79Te, який має найбільш оптимальні термоелектричні параметри Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці Халькогенідні напівпровідники групи A I V B V I і тверді розчини на їх основі, що використовуються як термоелектричні матеріали, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (Шперун В М , Фреік Д М , Запухляк Р І Термоелектрика телуриду свинцю та його аналогів — Івано-Франківськ Плай 2000 —250с) Однак, ці способи їх отримання не дозволяють плавно керувати термоелектричними параметрами, а головне, досягати їх високих значень Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуридів олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гаряче пресування у вакуумі при температурі вищій за температуру рекристалізації (Веденеев В П , Криворучко С П , Сабо Е П Термоэлектрические сплавы на основе теллурида олова // ФТП 1998 Т 32, № 3, — с 268 - 271 ) В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуридів свинцю, германію, вісмуту і сурми, в якому вибір вихідної речовини, дозволив би отримати матеріал з високими термоелектричними параметрами Поставлене завдання вирішується тим, що в способі отримання термоелектричних сплавів на основі телуридів олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гаряче пресування у вакуумі, згідно винаходу, як вихідну речовину використовують сплави системи (BixSbi хЬТезGeyPbi уТе Експериментально встановлено, що для даного сплаву коефіцієнт термо-е р с а, питома елект 1 ю 57242 ропровідність а, а також термоелектрична ефективність а 2 а визначається наявністю фази (BixSbi хЬТез Причому згідно експериментальних оцінок оптимальне значення коефіцієнта термо-е р с , яке забезпечує максимальну термоелектричну ефективність, знаходиться в області х = 0,4 - 0,6 Також встановлено, що термоелектрична ефективність цих сплавів значно вища, ніж у вихідних бінарних сполуках - телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми На фігурі зображено залежність термоелектричних параметрів сплаву 0,78(BixSbi хЬТез + 0,22Geo2iPbo79Te від значення х = 0,2 - 0,8 крива 1 - коефіцієнт термо-е р с а, крива 2 - питома електропровідність а, крива 3 - термоелектрична ефективність а 2 а Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми здійснюють таким чином Як вихідну речовину використовують сплав (BixSbi x)2Te3-GeyPbi Вихідну речовину, розташовують в кварцовій уТе вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійс Комп'ютерна верстка А Крулевський нення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють гаряче пресування у вакуумі Приклад конкретного виконання Вихідну речовину (BixSbi x)2Te3-GeyPbi yTe, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після чого одержані злитки дроблять і пресують у вакуумі при температурі вищій за температуру рекристалізації Компоненти вихідної речовини бралися з чистотою не меншою 99,99% Зразки сплавів з метою гомогенізації піддавалися відпалу при 630К протягом 20 год Коефіцієнти термо-е р с , електропровідності і теплопровідності вимірювалися в стаціонарному режимі при температурах 300К з похибкою < 5% Як бачимо із фігури, сплав 0,78(BixSbi x)2Te3+0,22(Geo2iPbo79Te), складу х = 0,4, володіє високими термоелектричними параметрами На його основі можуть створюватись різного роду ефективні термоелементи і термогенератори Підписано до друку 05 07 2003 Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method fro production of alloys on basis of germanium, lead, bismuth and antimony tellurides

Автори англійською

Freik Dmytro Mykhailovych, Prokopiv Volodymyr Vasyliovych, Nykyrui Liubomyr Ivanovych

Назва патенту російською

Способ получения сплавов на основе телуридов германия, свинца, висмута и сурьмы

Автори російською

Фреик Дмитрий Михайлович, Прокопив Владимир Васильевич, Никируй Любомир Иванович

МПК / Мітки

МПК: C22C 12/00, C30B 11/02, C22C 11/00

Мітки: спосіб, сплавів, германію, свинцю, сурми, вісмуту, основі, телуридів, отримання

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-57242-sposib-otrimannya-splaviv-na-osnovi-teluridiv-germaniyu-svincyu-vismutu-i-surmi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми</a>

Подібні патенти