Бойчук Володимира Михайлівна
Спосіб отримання термоелектричного n-pbte:bi
Номер патенту: 65674
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/02
Мітки: термоелектричного, спосіб, n-pbte:bi, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності
Номер патенту: 65673
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: pbte:co, кристалів, легованих, отримання, спосіб, провідності, n-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину(pb0,6sn0,4)1-xtex
Номер патенту: 56435
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Кланічка Володимир Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, отримання, розчину(pb0,6sn0,4)1-xtex, термоелектричного, твердого
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину (Pb0,6Sn0,4)1-xTex, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів (bixsb1-x)2te3-ge1-ypbyte
Номер патенту: 54912
Опубліковано: 17.03.2003
Автори: Іванишин Ірина Мирославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Павликівська Мар'яна Генадіївна
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, bixsb1-x)2te3-ge1-ypbyte, термоелектричних, сплавів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів (ВіхSb1-х)2Те3-Gе1-уРbуТе, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону...
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, легованих, p-типу, спосіб, кристалів, pbте, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...