Патенти з міткою «телуридів»
Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку
Номер патенту: 103983
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович
МПК: C01B 19/04, C01G 1/02, C01G 11/00 ...
Мітки: металів, нанокристалів, підгрупи, телуридів, цинку, синтезу, пристрій, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи
Номер патенту: 99181
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Григорович
МПК: C30B 11/00
Мітки: основі, злитків, системі, спосіб, усунення, іі-v, підгрупи, другої, телуридів, періодичної, фазі, включень
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...
Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм
Номер патенту: 92377
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Маниліч Михайло Іванович
МПК: C30B 23/02, H01L 21/203
Мітки: одержання, легованих, спосіб, свинцю, фоточутлівих, епітаксійних, розчинів, індієм, твердих, олова, телуридів, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...
Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми
Номер патенту: 57242
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Никируй Любомир Іванович, Шперун Всеволод Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C22C 12/00, C22C 11/00, C30B 11/02 ...
Мітки: сурми, вісмуту, германію, основі, телуридів, спосіб, отримання, сплавів, свинцю
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і...