Спосіб 3d контролю якості кристалічних матеріалів
Номер патенту: 65556
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Венгер Євген Федорович, Порєв Володимир Андрійович, Качур Наталія Володимирівна, Кошовий Олексій Анантолійович, Кущовий Сергій Миколайович, Маслов Володимир Петрович
Формула / Реферат
Спосіб контролю якості кристалічних матеріалів, що включає опромінення лазерним випромінюванням зразка матеріалу з довжиною хвилі, що відповідає діапазону прозорості цього кристалу, вимірювання величини потужності випромінювання, яке пройшло через зразок, і порівняння з величиною потужності випромінювання цього лазера, що пройшло через еталонний зразок, який відрізняється тим, що зразок, що контролюється, встановлюють на координатний стіл при даному значенні координат X, Y, вимірюють потужність лазерного випромінювання, а паралельно сканують зразок фотоприймачем по координаті Z і фіксують розподіл розсіяння випромінювання на дефектах; координати X, Y послідовно змінюють і операцію контролю повторюють, а всі отримані дані обробляють комп'ютером і формують віртуальне 3D зображення зразка з дефектами в ньому.
Текст
Спосіб контролю якості кристалічних матеріалів, що включає опромінення лазерним випромі 3 маних результатів і отриманні 3D зображення зразка з розподілом дефектів. Приклад реалізації Для реалізації способу було зібрано прилад, схема якого зображена на кресленні, де 1 - фотоприймач, 2 - лазер, 3 - зразок, 4 - дефект. Зразок 3, що контролювали, вирізали з кристалічного злитку сапфіру, перпендикулярно до напрямку росту злитка. Вимірювач потужності лазерного випромінювання було виконано на пірометричному чутливому елементі. Як випромінювач використовували лазер 2 з довжиною хвилі 0,5 мкм. Зразок 3 встановлювали на стіл фрезерного станка з ЧПУ, а як фотоприймач 1 по координаті Z Комп’ютерна верстка М. Ломалова 65556 4 використовували кремнієвий фотоприймач. Експерименти підтвердили можливість отримання 3D зображення і координати дефектів 4. Джерела інформації: 1. М.Н. Семибратов Технология оптических деталей, - М.: Машиностроение, 1978. - 415 с. 2. Венгер Є.Ф., Гаврилов В.О., Качур Н.В., Кіндрась О.П., Локшин М.М., Маслов В.П. Спосіб контролю якості кристалічних матеріалів, прозорих в інфрачервоному (ІЧ) діапазоні випромінювання. Заявка на патент України на корисну модель № u201006129 від 20.06.2010 p., рішення про видачу патенту на корисну модель № 2412/ЗУ/10 від 10.11.2010 р. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for 3d control of quality of crystalline materials
Автори англійськоюVenher Yevhen Fedorovych, Kachur Nataliia Volodymyrivna, Koshovyi Oleksii Anatoliiovych, Kuschovyi Serhii Mykolaiovych, Maslov Volodymyr Petrovych, Poriev Volodymyr Andriiovych
Назва патенту російськоюСпособ 3d контроля качества кристаллических материалов
Автори російськоюВенгер Евгений Федорович, Качур Наталья Владимировна, Кошевой Алексей Анантолиевич, Кущевый Сергей Николаевич, Маслов Владимир Петрович, Порев Владимир Андреевич
МПК / Мітки
МПК: G01N 25/72
Мітки: контролю, матеріалів, якості, кристалічних, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-65556-sposib-3d-kontrolyu-yakosti-kristalichnikh-materialiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб 3d контролю якості кристалічних матеріалів</a>
Попередній патент: Спосіб вимірювання середньоквадратичного значення напруги змінного струму
Наступний патент: Спосіб стимуляції статевої циклічності корів у післяродовий період
Випадковий патент: Спосіб імунотерапії передпухлинних процесів і/або злоякісних пухлин