Сегнетоелектричний матеріал

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіогіподифосфат олова 10-50 сульфід миш'яку решта. Винахід відноситься до напівпровідникового матеріалознавства і може бути використаний в якості матеріалу робочих елементів сегнетоелектричних пристроїв. Відомий сегнетоелектричний матеріал сегнетова сіль - подвійна сіль винної кислоти (NaKC4H4O64H2O), кристали якої в певному температурному інтервалі (255-297 К) спонтанно поляризуються, що забезпечує широке практичне використання цього матеріалу [1]. Недоліком цього матеріалу є недостатня стійкість до впливу зовнішнього середовища, що обумовлено його здатністю до вивітрювання. Найбільш близьким по технічній суті та результату, який досягається, є сегнетоелектричний матеріал у виді кристалічного тіогідродифосфату олова Sn2P2S6, для якого характерна більш висока стійкість до впливу зовнішнього середовища [2]. Недоліком описаного сегнетоелектричного матеріалу є недостатньо низька температура фазового переходу, що обмежує його функціональні можливості. Завданням винаходу є пониження температури фазового переходу. Поставлене завдання виконується таким чином, що відомий сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, згідно винаходу, додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіогіподифосфат олова 10-50, сульфід миш'яку інше. Запропонований сегнетоелектричний матеріал відноситься до ситалів, тобто склокристалічних матеріалів. За рахунок того, що кристалічні фрагменти тіогіподифосфату олова розподілені в склоподібній матриці сульфіду миш'яку, такий матеріал краще обробляється механічно. Крім того, можливе попереднє формування заготовок. Одержують запропонований сегнетоелектричний матеріал таким чином. Попередньо синтезовані сульфід миш'яку та тіогіподифосфат олова у заданому співвідношенні розміщують в кварцеву ампулу, вакуумують та заварюють, після чого нагрівають до температури 660-720 °С і втримують до гомогенізації розплаву. Охолодження ампули здійснюють прискорено, що забезпечує одержання сплаву у склоподібному стані. Одержаний зливок нагрівають до температури 200-240 °С і витримують протягом 4-10 годин, що забезпечує одержання склокристалічного матеріалу із фрагментами (19) UA (11) 94010 (13) C2 (21) a200911244 (22) 05.11.2009 (24) 25.03.2011 (46) 25.03.2011, Бюл.№ 6, 2011 р. (72) РУБІШ ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ, ШПАК АНАТОЛІЙ ПЕТРОВИЧ, ГАСИНЕЦЬ СТЕПАН МИХАЙЛОВИЧ, ГУРАНИЧ ОКСАНА ГРИГОРІВНА, ГУРАНИЧ ПАВЛО ПАВЛОВИЧ (73) УЖГОРОДСЬКИЙ НАУКОВОТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР МАТЕРІАЛІВ ОПТИЧНИХ НОСІЇВ ІНФОРМАЦІЇ ІНСТИТУТУ ПРОБЛЕМ РЕЄСТРАЦІЇ ІНФОРМАЦІЇ НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ (56) UA 8144 A1 26.12.1995, увесь документ UA a200701180 C2 11.08.2008, увесь документ Краткая химическая энциклопедия. – М.: Советская энциклопедия, т.4, 1965. - С.774-775 Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn2P2S6. Свойства в окресности 3 94010 кристалічного тіогіподифосфату олова. Одержані склокристалічні сплави з різним співвідношенням 4 бінарних компонентів, характеристики яких наведені в таблиці. Таблиця № прикла- Вміст Sn2P2S6, мас. Температура фазового Характеристика сплаву ду % переходу, К 1 55 В об'ємі зразка розміщення полікристалічних фра326-336 гментів нерівномірне 2 50 Зразок склокристалічний із рівномірним розподі80-330 лом кристалічної фази 3 26 Те ж. 80-330 4 10 Те ж. 80-328 5 5 Сегнетоелектричні властивості не виявлені Для кристалічного Sn2P2S6 фазовий перехід відбувається при температурі 336 К. Як видно з таблиці, одержані в прикладах 1-4 зразки мають більш низьку температуру фазового переходу. Крім того, на відміну від кристалічного Sn2P2S6 в одержаних зразках фазовий перехід відбувається в температурному інтервалі, який становить 80330 К. Таким чином, запропонований сегнетоелектричний матеріал має фазовий перехід при більш Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко низькій температурі. Крім того, він механічно більш стійкий у порівнянні з кристалічним Sn2P2S6. Джерела інформації: 1. Краткая химическая энциклопедия. Изд. «Советская энциклопедия», т.4, 1965, с.774. 2. Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка. Сегнетоэлектрики семейства Sn2P2S6.- Свойства в окрестности точки Лифшица. Львов, 1994, 264 с. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601