Гуранич Павло Павлович
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x
Номер патенту: 106139
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Гуранич Павло Павлович, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C30B 11/02 ...
Мітки: спосіб, синтезу, складу, сегнетоелектричного, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 111020
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович
МПК: H01M 6/18
Мітки: твердоелектролітичного, енергії, основі, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату, міді, аморфної, cu6pse5i, плівки, джерела, застосування
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 111018
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович
МПК: H01M 6/18
Мітки: твердоелектролітичного, плівки, cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, основі, міді, застосування, матеріалу, енергії, аморфної, джерела
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 98739
Опубліковано: 12.05.2015
Автори: Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович
Мітки: плівки, джерела, міді, йодид-пентатіогерманату, основі, енергії, матеріалу, аморфної, застосування, твердоелектролітичного, cu7ges5i
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 97430
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович
МПК: H01M 6/08
Мітки: cu6pse5l, джерела, застосування, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату, основі, аморфної, твердоелектролітичного, міді, плівки, енергії
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Росул Роман Романович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Гуранич Павло Павлович, Риган Михайло Юрійович
МПК: H01L 41/39, C01G 15/00
Мітки: матеріалу, спосіб, сегнетоелектричного, tlins2)x(tlinse2)1-x, складу, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 99389
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович
Мітки: основі, плівки, застосування, твердоелектролітичного, міді, матеріалу, джерела, йодид-пентатіофосфату, сu6ps5i, аморфної, енергії
Формула / Реферат:
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 65984
Опубліковано: 26.12.2011
Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович
Мітки: джерела, аморфної, енергії, cu6ps5i, застосування, плівки, міді, твердоелектролітичного, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, основі
Формула / Реферат:
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 94010
Опубліковано: 25.03.2011
Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Шпак Анатолій Петрович, Гасинець Степан Михайлович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Павло Павлович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %:тіогіподифосфат олова 10-50 сульфід миш'яку - решта.
Застосування бромід-пентатіофосфату міді як матеріалу для оптичного реле гідростатичного тиску
Номер патенту: 69690
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Шуста Володимир Семенович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Сливка Олександр Георгієвич, Панько Василь Васильович
МПК: G01L 11/00, G01L 1/24, G01L 19/00 ...
Мітки: оптичного, тиску, гідростатичного, застосування, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, міді, реле
Формула / Реферат:
Застосування бромід-пентатіофосфату міді Сu6РS5Вr як матеріалу для оптичного реле гідростатичного тиску.
Спосіб дослідження анізотропії діелектричних властивостей твердих тіл
Номер патенту: 69632
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Герзанич Омелян Іванович, Шуста Володимир Семенович, Кедюлич Віктор Михайлович, Сливка Олександр Георгієвич, Гуранич Павло Павлович
МПК: G01R 27/26
Мітки: спосіб, властивостей, тіл, дослідження, анізотропії, діелектричних, твердих
Формула / Реферат:
Спосіб дослідження анізотропії діелектричних властивостей твердих тіл, який включає вимірювання діелектричної проникності та тангенса кута діелектричних втрат в різних напрямках твердого тіла та їх температурні зміни, який відрізняється тим, що вимірюють вказівну поверхню діелектричної проникності та тангенс кута діелектричних втрат
Матеріал для оптичного реле гідростатичного тиску
Номер патенту: 69690
Опубліковано: 15.09.2004
Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Сливка Олександр Георгієвич, Шуста Володимир Семенович, Панько Василь Васильович
МПК: G01L 1/24, G01L 19/00, G01L 11/00 ...
Мітки: гідростатичного, матеріал, тиску, оптичного, реле
Формула / Реферат:
Застосування бромід-пентатіофосфату міді Сu6РS5Вr як матеріалу для оптичного реле гідростатичного тиску.
Експрес-спосіб дослідження енергетичної структури твердих тіл в області фазових переходів
Номер патенту: 33019
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Сливка Олександр Георгієвич, Гуранич Павло Павлович, Герзанич Омелян Іванович, Шуста Володимир Семенович
МПК: G01N 21/27, G01N 21/17
Мітки: тіл, структури, твердих, фазових, переходів, експрес-спосіб, енергетичної, області, дослідження
Формула / Реферат:
Експрес-спосіб дослідження енергетичної структури твердих тіл в області фазових переходів, який включає визначення енергетичного положення краю фундаментального поглинання (КП) та його зміну під впливом різних зовнішніх факторів (гідростатичний тиск, температура, електричне поле і т.інш.) при фазових переходах, який відрізняється тим, що баричну, температурну чи польову залежність енергетичного положення КП визначають по енергії падаючого...
Експрес-спосіб дослідження констант кюрі-вейсса в сегнетоелектричних кристалах
Номер патенту: 50233
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Гуранич Павло Павлович, Кабаль Роман Васильович, Кедюлич Віктор Михайлович, Сливка Олександр Георгієвич, Шуста Володимир Семенович, Герзанич Омелян Іванович
МПК: G01R 27/26
Мітки: констант, експрес-спосіб, кристалах, кюрі-вейсса, дослідження, сегнетоелектричних
Формула / Реферат:
Експрес-спосіб дослідження констант Кюрі-Вейсса в сегнетоелектричних кристалах, який включає визначення температурної константи Кюрі-Вейсса при постійному тиску та баричної константи Кюрі-Вейсса при постійній температурі і їх баричну та температурну зміну вздовж фазової р,Т-діаграми, який відрізняється...
Спосіб вимірювання стисливості твердих тіл
Номер патенту: 32071
Опубліковано: 15.02.2002
Автори: Шуста Володимир Семенович, Герзанич Омелян Іванович, Гуранич Павло Павлович, Сливка Олександр Георгієвич
МПК: G01N 21/17, G01B 9/02, G01B 11/16 ...
Мітки: вимірювання, твердих, спосіб, тіл, стисливості
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання стисливості твердих тіл, який включає вимірювання змін лінійних розмірів твердих тіл під дією гідростатичного тиску, який відрізняється тим, що баричну зміну лінійних розмірів тіл визначають шляхом вимірювання змін, що відбуваються під дією тиску в інтерференційній картині двох інтерферометрів, еталонного та з досліджуваним об'єктом, розміщених в оптичній камері високого тиску, порівнюючи величини сигналів від двох...