Гуранич Оксана Григорівна
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x
Номер патенту: 106139
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович, Гуранич Павло Павлович
МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...
Мітки: сегнетоелектричного, матеріалу, синтезу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, складу, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 106518
Опубліковано: 10.09.2014
Автори: Штець Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович, Гомоннай Олександр Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Гомоннай Олександр Олександрович, Рубіш Василь Михайлович, Росул Роман Романович, Гуранич Оксана Григорівна
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Росул Роман Романович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Павло Павлович
МПК: H01L 41/39, C01G 15/00
Мітки: сегнетоелектричного, спосіб, матеріалу, одержання, tlins2)x(tlinse2)1-x, складу
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 94010
Опубліковано: 25.03.2011
Автори: Гуранич Павло Павлович, Шпак Анатолій Петрович, Гасинець Степан Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %:тіогіподифосфат олова 10-50 сульфід миш'яку - решта.