Спосіб травлення матеріалів при їх макроскопічному дослідженні

Спосіб травлення матеріалів при їх макроскопічному дослідженні, який включає взаємодію поверхні травлення (1), що підключена до позитивного полюса джерела постійного струму з вузлом травлення (4), обробленим травильним складом і з'єднаним з негативним полюсом (3), який відрізняє ться тим, що в процесі травлення підігрівають зону контакту поверхні травлення з вузлом травлення до температури кипіння травильного складу шляхом збільшення щільності струму. (19) (21) 2001085530 (22) 02.08.2001 (24) 15.11.2004 (46) 15.11.2004, Бюл. № 11, 2004 р. (72) Остапенко Василь Васильович, Бялік Гарій Абрамовіч, Ткач Олег Миколайович (73) ЗАПОРІЗЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ, ВІДКРИТЕ АКЦІОНЕРНЕ ТОВАРИСТВО "ДНІПРОСПЕЦСТАЛЬ" (56) SU, 1 481 267, A1, п убл. 23.05.1989, Бюл. 19 US, 5 571 389, A, publ. 05.11.1996 Богомолова Н. А., Практическая металлография.М.: Высшая школа, 1987, С.44-47 3 70989 4 точкового (локального) виявлення структури. 1, підключеного до позитивного полюсу 2 джерела До недоліків цього засобу належать: постійного струму (на кресленні не вказаний), не1. Недостатньо велика швидкість травлення, гативний полюс 3 якого з'єднаний з травлячим що обумовлена електролітичним засобом траввузлом 4 і крізь електрод 5, амперметр 6 і регулялення; тор струм у 7. 2. Неможливість травлення поверхні матеріаТравлячий вузол 4 виготовлений у вигляді лів необмежених розмірів через обмеженість розструмопровідного тампона з гігроскопічного матемірів гранул полімеру. ріалу, заповненого електролітом, наприклад, склоВ основі винаходу лежить задача створення вати, обтягнутої склотканиною. засобу травлення матеріалів за рахунок суміщенТравлячий вузол може бути виготовлений у ня ефектів хімічного електролітичного травлення і вигляді тампона з рукояткою з електроізоляційного прискорення процесу виявлення макроструктури матеріалу, що забезпечує електробезпеку персо,щоб забезпечити підвищення швидкості травленналу при травленні. ня і травлення поверхні матеріалів необмежених Напруга постійного струму при травленні не розмірів. перевищує безпечної за вимогами техніки безпеки, Вказаний технічний результат досягається наприклад, 36,24 або 12В. Травильний склад, яким тим, що в способі травлення матеріалів, що місобробляють травлячий вузол, являє собою 10-95% тить у собі взаємодію поверхні травлення, підклюводний розчин соляної кислоти, 1-30% ортофосченій до позитивного полюса джерела постійного форної кислоти, або без неї 5-90% води, темпераструму, з травлячим вузлом, обробленим травитура кипіння якого приблизно дорівнює 100°С. льним складом, з'єднаним з негативним полюсом, У якості травильного складу можна застосувапередбачені наступні відмінності: в процесі травти також 50% водний розчин соляної кислоти, розлення підігрівають зону контакту поверхні травчин щавлевої кислоти або інші електропроводці лення з травлячим вузлом за рахунок електронатравильні склади. гріву, шляхом збільшення щільності струму до Час обробки травлячого вузла 4 травильним температури кипіння травильного складу, яким складом складає 2-15 секунд. оброблений травлячий вузол. Швидкість травлення приблизно 100см 2 за 1 Після підігрівання зони контакту травлячого хвилину. Пропонований засіб травлення матеріавузола до температури кипіння електроліту активілів опробуваний щодо макроскопічного дослізуються процеси електрохімічного розчинення дження темплетів зі сталі марок 20Г і 20ХГС, вигомежкристалітів і інших структурних неоднорідностовлених з виливків діаметром 100мм. Перед тей поверхневого шару металу. Одночасно посипочатком травлення травлячий вузол 4, виготовлюється процес хімічного травлення за рахунок лений у вигляді тампону із стекловати з оболонвпливу температурного фактора. кою зі склотканини обробляли травильним склаВідбувається підсумовування ефективності хідом, який складався з 30% води, 35% соляної мічного і електрохімічного травлення, що привокислоти і 35% ортофосфорної кислоти протягом 2дить до суттєвого зниження часу, необхідного для 15сек. Травлячий вузол 4 підключили через амвиявлення макроструктури. перметр 6 до негативного полюса 3 джерела поСпосіб дозволяє конкретно досліджувати: постійного струму, поверхню травлення 1 - до позиристість, взаємне розташування кристалів, розміри тивного полюса джерела постійного струму. елементів структури, дендритну стр уктур у, виявТравлячий вузол приводився у контакт з повеляти тріщини різного роду. рхнею темплета, після чого вмикали струм і проСпосіб, що пропонується, прискорює процес водили травлення поверхні темплета за рахунок травлення у 5-6 разів зарахунок зменшення часу послідовного переміщення травлячого вузла по на операцію просякнення травлячого вузла, значусій поверхні. но спрощує процес, полегшує умови праці. За допомогою регулятора 7 збільшували Таким чином, нові ознаки при взаємодії з відощільність струму до 1А/см 2, що відповідало макмими ознаками забезпечують виявлення нових симальній швидкості травлення, при цьому зона технічних властивостей - підвищення швидкості контакту травлячого вузла з поверхнею травлення травлення і забезпечення можливості травлення підігрівалась до температури 100°С - температури матеріалів необмежених розмірів тому, що травкипіння вказаного травильного складу. Робочий лення відбувається конкретно на самій деталі, що струм контролювався амперметром 6, який вмикадозволяє відмовитися ввід ванни, в яку треба повся послідовно з травлячим вузлом. Потім пересуміщати деталь або частину деталі для травлення. вали тампон травлячого вузла на іншу ділянку Виходячи з вищевикладеного можна зробити поверхні матеріалу і повторювали спосіб травленвисновок, що запропоноване технічне рішення ня. задовольняє критерію "Винахідницький рівень". Час травлення темплету з сталі 20Г площиною Запропонованій спосіб травлення матеріалу 80см 2, складала 40 секунд. реалізується за допомогою схеми, наведеної на Виходячи з вищевикладеного можна зробити креслені. висновок, що технічне рішення, яке заявляється, Схема містить поверхню травлення матеріалу задовольняє критерію "Промислове застосування". 5 Комп’ютерна в ерстка Т. Чепелев а 70989 6 Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601