Сонячний елемент

Реферат: UA 93015 U UA 93015 U 5 10 15 20 Корисна модель належить до галузі енергетики і може бути використана для перетворення сонячного випромінювання в електричну енергію. Відомий сонячний елемент, який містить два фотоелектричні шари з електронно-дірковим переходом між ними [Байерс Т. 20 конструкций с солнечными элементами. - М.: Мир, 1988. 198 с]. Цей елемент знайшов застосування у геліоенергетичній індустрії. Однак він є низькоефективним, з коефіцієнтом корисної дії порядку 15 %, хоча у лабораторних умовах досягаються значно вищі значення к.к.д. В основу корисної моделі поставлена задача створення сонячного елемента з покращеними характеристиками ефекту перетворення сонячного випромінювання в електричну енергію. Поставлена задача вирішується тим, що в сонячному елементі, який містить електроннодірковий перехід, на якому при попаданні фотона утворюється пара вільних носіїв заряду різних знаків, використано лазерне випромінювання для підвищення енергії фотона в момент його попадання на границю р- та n-областей. Енергія фотона підвищується настільки, що електрон, який стає вільним, здатен подолати широку заборонену зону, наприклад у графані. Таким чином розширюється коло матеріалів для фотоелектричних шарів і збільшується кількість електрики, виробленої сонячним елементом. Конструкція сонячного елемента крім фотоелектричних шарів містить напівпровідниковий лазер, площина випромінювання якого співпадає з площиною електронно-діркового переходу. При виготовленні сонячного елемента доцільно нижній шар напівпровідникового лазера виконати в єдиному технологічному режимі і з того самого матеріалу, що й нижній р-шар сонячного елемента. Верхній тонкий шар сонячного елемента, робоча речовина лазера і верхній шар лазера виготовляються в окремих технологічних циклах. Накачка лазера здійснюється за рахунок енергії, виробленої сонячним елементом. 25 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 30 Сонячний елемент, що містить фотоелектричні шари, на границі контакту яких розташований електронно-дірковий перехід, який відрізняється тим, що в площині фотоелектричних шарів розміщений напівпровідниковий лазер, випромінювання якого проходить вздовж електроннодіркового переходу, а накачка лазера здійснюється виробленою фотоерс сонячного елемента. Комп’ютерна верстка М. Мацело Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1