Спосіб одержання монокристалів алмазу
Номер патенту: 1104
Опубліковано: 30.12.1993
Автори: Гетьман Анатолій Федорович, Шульженко Олександр Олександрович, Кацай Маргарита Яківна
Формула / Реферат
Способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя-сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04-0,4 мас.% углерода.
Текст
ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ № СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК И Р '1 ^ * 09)' (II) А С 01 В 3 1 / 0 6 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2724713/23-26 (22) 05.02.79 (72) А.А.Шульженко, М.Я.Кацай и А.Ф.Гетьман (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт сверхтвердых материалов АН Украинской ССР (53) 546.26.162 (088.8) (56) 1. Патент США fr 3652220, кл. 23-209.1, 1972. 2. Авторское свидетельство СССР » 587711, кл. С 01 В 31/06, 1975, непубл, (прототип). Г t (54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующих термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя-сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаз а, чстюль зуют сплав с 0,04-0,4 мас,% углерода. v: \ ^ 999439 Изобретение относится к областьполучения сверхтвердых материалов, а именно - к получению монокристаллов алмаза, и может быть использовано в станкоинструмєнтальнои промыш5 ленности. Известен способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре , соответствующих термодинами10 ческой устойчивости алмаза, на графит, находящийся в контакте с растворителем-сплавом на основе кобальта, никеля и/или железа, имеющим ^ сложный фигурный профиль [Г] . 15 Недостатками способа являются низкие выход (3 5-20 мас.%) и термостойкость монокристаллов. Наиболее близким техническим решением является способ получения мо- 20 нокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующих термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков грабита и 25 растворителя - сплава марганца и никеля и/или кобальта с 0,5-5 мас.% гтестиугольнои призмы, так и мелкие (2-4 мкм) двойной эвтектики, а также мелкопластинчатая, веерного типа тройная эвтектика из карбидов Ь -(Ьазы. Рентгенографически установлен состав карбида - M h ? C o Таким образом, повышение содержания углерода ведет к увеличению доли карбидной фазы в сплаве, что приводит к снижению термостойкости алмазов , При использовании сплава с содержанием углерода менее 0,04 мас.% резко снижается общий выход алмаза. Наилучшие результаты по термостойкости алмазов были получены при использовании сплава Ні-Мп, Со-Мп с содержанием углерода 0,08 мас.%. П р и м е р 1. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г гра&ита и 1 г сплава Ni-Mn-Co, содержащего 0,04 м а с Д углерода, помещают смесь в камеру высокого давления, поднимают вначале давление до 40 кбар, затем температуру до 1300 С и при этих условиях содержимое камеры выдерживают 10 мин. Затем темпеуглерода [Y] , ратуру и давление снижают и извлекают содержимое. Недостатком способа является пониженная термостойкость монокристаллов зо Выполняют 250 пресс-спеканий. Посалмазов, что объясняется примесью ле чего производят химическую очисттрудно удаляемых карбидов марганца. ку алмаза от примесей, извлеченные Целью изобретения является повыалмазы подвергаются дроблению и класшение термостойкости монокристаллов сификации. Выход крупных зернистосалмазов. тей алмаза 315/250 мкм и выше соста35 вил 40%. Поставленная цель достигается тем, что способ получения монокрисП р и м е р 2. Готовят однородталлов алмаза включает воздействие ную смесь порошков, состоящую из 1 г высокого давления при температуре, графита и I г сплава N і-Мп, содержасоответствующих термодинамической .„ щего 0,08 мас.% углерода, смесь помеустойчивости алмаза, на реакционщают в камеру высокого давления, подную смесь порошков графита и раствонимают вначале до 50 кбар, затем темрителя-сплава марганца, никеля пературу до 1200 С, при этих услои/или кобальта, содержащего 0,04виях реакционную смесь выдерживают 0,4 мас.% углерода. « 10 мин. Затем последовательно сниОтличие заключается в использоважают температуру и давление и извлении сплава с 0,02-0,4 мас,% углерокают содержимое, да. Выполняют 350 пресс-спеканий. После чего производят химочистку алЭкспериментальным путем установлено, что использование растворителя-50 маяа от примесей, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классифисплава марганца, никеля и/или кокации. Выход крупных зернистостей бальта с содержанием углерода от алмаза 315/250 мкм и выше составив 0,4 до 5,9 мае.% резко снижает тер45%. мостойкость алмаза» Это объясняется П р и м е р 3, Готовя і однородтем, что при увеличении концентра55 ную смесь порошков, состоящую из 1 г ции углерода свыше 0,4 мас.% происсплава N І-Мп, содержащего 0,2 мас.^ ходит образование карбидов. Образуютуїлерода, смесь помещают в устроит;ся как крупные первичные карбиды в 4 Выход крупных зернистостей 315во высокого давления, поднимают вна250 мкм и выпте составляет 35%. чале давление до 60 кбар, затем темВ таблице представлены сравнипературу до 1160 С, при этих условительные данные термостойкости моноях реакционную смесь выдерживают кристаллов алмаза, полученных по 10 мин. Далее как в п. 2. 5 предлагаемому способу и по протоВыполняют 300 пресс-спеканий. типу (с использованием сплава,содерПосле чего производят химочистку алжащего 5,9 мас.% углерода). Таким маза от примесей, извлеченные алмазы образом, использование сплава марподвергают дроблению и классифика10 ганца с никелем и/или кобальтом, ции. Выход крупных зернистостей алсодержащего 0,04-0,4 мас.% углерода маза 315/250 мкм и выше составил 40% позволяет повысить термостойкость П р и м е р 4. Готовят однородсинтезированных монокристаллов алманую смесь порошков, состоящую из 1 г за на 35-45%, что подтверждает полографита и 1 г сплава Со-Мп, содержаtj жительный эффект. щего 0,А мас.% углерода. Смесь поТермостойкость алмазов выражаетмещают в устройство высокого давлеся в процентном падении термической ния, поднимают вначале давление до прочности монокристаллов алмазов 45 кбар, затем температуру до после термообработки при 1200 С в 1250 С, выдерживают реакционную 2Q токе осушенного водорода в течесмесь при этих условиях 10 мин. ние 20 мин по сравнению с исходной Выполняют 200 пресс-спеканий. прочностью, определенной на воздухе После чего производят химочистку, при атмосЛерном давлении и комнатизвлеченные алмазы подвергают дробной температуре. лению и классификации. 999439 Термостойкость %% Рт/Р X 100% Разрушающая нагрузка (р) по ГОСТу 9206-80 Зернистость по ГОСТу 9206-80 Исходная По предлагаемому способу Рисх, Термическая По прототипу По предлагаемому способу По прототипу 10,0 9,2 8,7 з,з 400/315 9,7 8,1 3,0 315/250 9,0 ей 3,0 1,8 1,9 1,6 1,9 250/200 6,4 6.2 1,8 200/160 5,9 5,0 м 160/125 5,5 125/100 4,9 4,3 3,7 1,8 1,6 630/500 10,6 500/400 3,2 Рт По предлагаемому спобу По прототипу 30,5 19,6 33,4 21,8 31,2 19,9 33,0 23,0 1,3 29,0 21,0 1.1 0,9 32,0 23,0 32,3 20,4 — 33,5 — ВНИИПИ Зака» 530/ДСП Тираж 318 Подписное Филиал Ш Ш "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for the preparation of diamond monocrystals
Автори англійськоюShulzhenko Oleksandr Oleksandrovych, Katsai Marharyta Yakivna, Hetman Anatolii Fedorovych
Назва патенту російськоюСпособ получения монокристаллов алмаза
Автори російськоюШульженко Александр Александрович, Кацай Маргарита Яковна, Гетман Анатолий Федорович
МПК / Мітки
МПК: C01B 31/06
Мітки: одержання, монокристалів, спосіб, алмазу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-1104-sposib-oderzhannya-monokristaliv-almazu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання монокристалів алмазу</a>
Попередній патент: Спосіб отримання фільтрматеріалу
Наступний патент: Рама екскаватора
Випадковий патент: Блок кутових мір