Застосування аргіродиту ag8snse6 як резистивного матеріалу
Номер патенту: 111131
Опубліковано: 10.11.2016
Автори: Родич Володимир Михайлович, Чекайло Микола Володимирович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович, Семків Ігор Володимирович, Ільчук Григорій Архипович
Формула / Реферат
Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу.
Текст
Реферат: Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу. UA 111131 U (54) ЗАСТОСУВАННЯ АРГІРОДИТУ Ag8SnSe6 ЯК РЕЗИСТИВНОГО МАТЕРІАЛУ UA 111131 U UA 111131 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до області радіо- і мікроелектроніки і може бути використана при виготовленні резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу в робочому інтервалі температур від -20 до +80 °C. Відомий резистивний матеріал як твердий розчин (Сu1-4 Agx)2S, де х=0,25-0,75 [авторське свідоцтво СРСР N834779, опубліковано 30.05.1981 p., Бюлетень № 20]. Aлe його використання обмежено малим значенням його питомого електричного опору -2 (ρ ≈10 Ом·м) та відносно високим робочим діапазоном температур (400-550 °C). Високі значення робочих температур (Т 400 °C) не дозволяють використати даний матеріал в електронних схемах, що працюють в інтервалі кімнатних температур. Відомий резистивний матеріал, складу (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(As2Se3)x, де х=0,1-0,5 [пат. RU № 2066076 МПК Н01С7/00, опублікований 27.08.1996 p.]. 3 5 Однак цей матеріал характеризується високим питомим опором 10 -10 Ом·м та малим (1160 с) часом релаксації. В основу корисної моделі поставлено задачу створити матеріал придатний для використання як резистивного матеріалу в діапазоні температур -20 до +80 °C з питомим 3 опором меншим 10 Ом·м та часом релаксації більшим 60 с, до складу матеріалу не повинно входити більше ніж три хімічні елементи. Поставлена задача вирішується тим, що як резистивний матеріал використовується сполука, що відповідає формулі Ag8SnSе6. Це розширює асортимент резистивних матеріалів. Відома сполука аргіродиту Ag 8SnSe6 [O. Gorochov Les composés Ag8MX6 (M=Si, Ge, Sn et X=S, Se, Те) / O. Gorochov // Bulletin de la Société Chimique de France. - 1968. - № 6. - P. 2263-2275], але її електричні властивості і застосування не визначені. Нами встановлено що аргіродит Ag8SnSe6 володіє змішаною іонною та електронною провідністю. Це дозволяє створювали на її основі, разом з інертними відносно до іонів срібла електродами, електрохімічні твердотільні структури, опір яких є 3 залежним від часу. Матеріал характеризується питомим опором меншим 10 Ом·м і його час релаксації в діапазоні температур -20 до +80 °C становить більше 4 хв. Приклад: Було приготовлено 10 г резистивного матеріалу з металічного срібла (чистоти 99,999 %) в кількості 5,9293 г, металічною олова (чистоти 99,999 %) в кількості 0,8155 г, селену елементарного (чистоти 99,999 %) в кількості 3,2552 г, які завантажують у кварцовий контейнер, -1 вакуумують до Р
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: H01C 7/00
Мітки: аргіродиту, матеріалу, застосування, резистивного, ag8snse6
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-111131-zastosuvannya-argiroditu-ag8snse6-yak-rezistivnogo-materialu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Застосування аргіродиту ag8snse6 як резистивного матеріалу</a>
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту ag8snse6
Номер патенту: 107754
Опубліковано: 10.02.2015
Автори: Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Чекайло Микола Володимирович, Петрусь Роман Юрійович, Українець Валентин Остапович
МПК: C30B 29/46
Мітки: спосіб, аргіродиту, отримання, кристалічного, ag8snse6
Формула / Реферат:
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SnSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, олова, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 493-570 K до проходження хімічних...
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту ag8gеsе6
Номер патенту: 107755
Опубліковано: 10.02.2015
Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Гончар Федір Михайлович, Чекайло Микола Володимирович, Українець Наталія Андріївна
МПК: C30B 29/46
Мітки: спосіб, кристалічного, ag8gеsе6, аргіродиту, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8GeSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 560-740 K до проходження першої...
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту ag8sise6
Номер патенту: 108169
Опубліковано: 25.03.2015
Автори: Лопатинський Іван Євстахійович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Українець Валентин Остапович, Чекайло Микола Володимирович
МПК: C30B 29/46
Мітки: отримання, аргіродиту, кристалічного, ag8sise6, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SiSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію і селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі з діапазону DТвит1 = 500-720 K до проходження хімічної реакції...
Спосіб отримання резистивного покриття
Номер патенту: 67527
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Ротнер Сергій Михайлович, Нікітін Вадим Едуардович
МПК: H01C 17/00
Мітки: спосіб, покриття, отримання, резистивного
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання резистивного покриття, який здійснюється шляхом плазмохімічного синтезу алмазоподібної плівки з вуглецевмісного матеріалу на підігрітій підкладці з одночасним легуванням її металом, який відрізняється тим, що синтез здійснюють при температурі підкладки 550-900°С, а отриману алмазоподібну плівку піддають двостадійному відпалюванню, причому на першій стадії відпалювання проводять при температурі синтезу, а на другій стадії...
Шихта для керамічного резистивного матеріалу
Номер патенту: 1046
Опубліковано: 25.03.1994
Автори: Гервіц Євген Ілліч, Гнесін Георгій Гдалієвич, Касьяненко Олександр Антонович, Петровський Віталій Ярославович, Шипілова Лариса Олександрівна
Мітки: керамічного, резистивного, матеріалу, шихта
Формула / Реферат:
Шихта для керамического резистивного материала с регулируемым электросопротивлением, содержащая нитрид кремния, карбид кремния и оксиды магния и/или алюминия, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения коэффициента нелинейности материала и повышсния выхода изделий со стабильными значениями удельного объемного электросопротивления, она содержит карбид кремния с размером частиц 10—120 мкм, а нитрид кремния взят b-модификации при следующем...
Попередній патент: Спіральний сепаратор
Наступний патент: Спосіб спалювання органічного палива в топці котельної установки на часткових навантаженнях
Випадковий патент: Спосіб реєстрації двополярної петлі qrs і потенціал-кардіограми за методом я.п. чеботарьова