Ільчук Григорій Архипович

Номер патенту: 114163

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Букартик Наталія Миколаївна, Петрусь Роман Юрійович, Токарев Віктор Сергійович, Шевчук Олег Михайлович, Токарєв Станіслав Вікторович, Ільчук Григорій Архипович

МПК: C01B 31/00, C01G 3/12, C08K 3/04 ...

Мітки: наповненням, плівка, комбінованим, нанокомпозитна

Формула / Реферат:

Нанокомпозитна плівка з комбінованим наповненням, на основі реакційноздатних поліфункціональних кополімерів та структуруючого агента поліетиленгліколю, в яку вбудовано, вуглецеві нанотрубки та нанокристали напівпровідника, яка відрізняється тим, що як нанокристали напівпровідника використано нанокристали сульфіду міді.

Номер патенту: 111131

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Родич Володимир Михайлович, Семків Ігор Володимирович, Українець Валентин Остапович, Чекайло Микола Володимирович

МПК: H01C 7/00

Мітки: застосування, ag8snse6, матеріалу, аргіродиту, резистивного

Формула / Реферат:

Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу.

Номер патенту: 108169

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Чекайло Микола Володимирович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Українець Наталія Андріївна, Лопатинський Іван Євстахійович

МПК: C30B 29/46

Мітки: аргіродиту, кристалічного, ag8sise6, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SiSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію і селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі з діапазону DТвит1 = 500-720 K до проходження хімічної реакції...

Номер патенту: 107755

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Гончар Федір Михайлович, Чекайло Микола Володимирович

МПК: C30B 29/46

Мітки: кристалічного, отримання, ag8gеsе6, аргіродиту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8GeSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 560-740 K до проходження першої...

Номер патенту: 107754

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Чекайло Микола Володимирович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Петрусь Роман Юрійович, Українець Валентин Остапович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, отримання, аргіродиту, ag8snse6, кристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SnSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, олова, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 493-570 K до проходження хімічних...

Номер патенту: 107542

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Токарев Віктор Сергійович, Токарев Станіслав Вікторович, Янушевський Дмитро Миколайович, Лобойко Сергій Васильович, Петрусь Роман Юрійович, Селезньов Олександр Михайлович, Меньшенін Павло Германович, Ільчук Григорій Архипович, Чернілевський Ігор Костянтинович, Рудак Віктор Олександрович

МПК: H02M 7/493, H02J 7/35, G05F 5/00 ...

Мітки: фотоелектричного, спосіб, енергії, відбору, модуля, електричної, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб відбору електроенергії від фотоелектричного модуля, за яким, виходячи з вольт-амперних характеристик фотоелектричного модуля, підключеного паралельно входу DC/DC конвертора або DC/AC інвертора, з підключеним паралельно конденсатором, засобом для вимірювання напруги, під'єднаним до модуля управління інвертором, визначають напругу Uв в точці максимальної потужності фотоелектричного модуля при максимальній інсоляції, мінімальну...

Номер патенту: 107043

Опубліковано: 10.11.2014

Автори: Букартик Наталія Миколаївна, Токарев Віктор Сергійович, Ільчук Григорій Архипович, Токарев Станіслав Вікторович, Шевчук Олег Михайлович, Петрусь Роман Юрійович

МПК: C08F 26/00, C08F 220/00, C01B 17/00 ...

Мітки: сульфіду, кадмію, одержання, плівок, спосіб, нанокомпозитних, нанокластерами

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полімерних нанокомпозитних плівок з нанокластерами сульфіду кадмію, що включає формування на твердій підкладці полімерної плівки з координаційно або хімічно зв'язаними іонами металу, її структурування та обробку сірководнем з газової фази, який відрізняється тим, що формування полімерної плівки здійснюють з розчину, що містить поліфункціональний пероксидвмісний кополімер формули:

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Шаповал Павло Йосифович, Гумінілович Руслана Ростиславівна, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Ятчишин Йосип Йосипович

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00

Мітки: кадмій, плівок, одержання, тонких, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 77016

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Шаповал Павло Йосифович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Ільчук Григорій Архипович, Гумінілович Руслана Ростиславівна, Ятчишин Йосип Йосипович

МПК: C01G 11/00, G01N 27/00

Мітки: спосіб, іонів, кадмію, визначення, вмісту

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вмісту іонів кадмію, що включає підготовку проби аналізованої речовини та її дослідження методом інверсійної вольтамперометрії з визначенням струму розчинення аналізованої речовини, за яким визначають вміст іонів кадмію, який відрізняється тим, що підготовку проби аналізованої речовини здійснюють розчиненням напівпровідникової тонкої плівки у хлоридній кислоті.

Номер патенту: 100307

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Токарев Віктор Сергійович, Шевчук Олег Михайлович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Токарев Станіслав Вікторович, Ільчук Григорій Архипович, Букартик Наталія Миколаївна

МПК: C01G 9/00, C01G 11/00, C01G 21/00 ...

Мітки: одержання, нанокластерами, металів, нанокомпозитів, полімерних, спосіб, сульфідів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полімерних нанокомпозитів з нанокластерами сульфідів металів, що включає формування на твердій підкладці полімерного шару, який містить координаційно або хімічно зв'язані іони металу, та його обробку сірководнем, який відрізняється тим, що попередньо на поверхню твердої підкладки наносять нанометровий шар пероксидовмісного макроініціатора формули:

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Лопатинський Іван Євстахович, Українець Наталія Андріївна, Скульський Михайло Юліанович, Українець Валентин Остапович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, кадмію, легування, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 50323

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Лопатинський Іван Євстахович, Будзан Богдан Борисович

МПК: C30B 25/08

Мітки: замкнутому, монокристалів, вирощування, об'ємі, парофазного, cdte, реактор

Формула / Реферат:

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович

МПК: G01N 27/22

Мітки: спосіб, кадмію, діркового, телуриду, порушеної, підкладці, монокристалічний, товщини, шару, залишкового, вимірювання, структури

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...