Українець Наталія Андріївна

Номер патенту: 111131

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Родич Володимир Михайлович, Чекайло Микола Володимирович, Семків Ігор Володимирович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович

МПК: H01C 7/00

Мітки: застосування, аргіродиту, ag8snse6, матеріалу, резистивного

Формула / Реферат:

Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу.

Номер патенту: 108169

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Українець Наталія Андріївна, Чекайло Микола Володимирович, Лопатинський Іван Євстахійович

МПК: C30B 29/46

Мітки: отримання, ag8sise6, аргіродиту, спосіб, кристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SiSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію і селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі з діапазону DТвит1 = 500-720 K до проходження хімічної реакції...

Номер патенту: 107755

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Українець Наталія Андріївна, Чекайло Микола Володимирович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Гончар Федір Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: кристалічного, спосіб, аргіродиту, ag8gеsе6, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8GeSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 560-740 K до проходження першої...

Номер патенту: 107754

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Чекайло Микола Володимирович, Петрусь Роман Юрійович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, отримання, ag8snse6, кристалічного, аргіродиту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SnSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, олова, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 493-570 K до проходження хімічних...

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Лопатинський Іван Євстахович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Скульський Михайло Юліанович

МПК: C30B 31/00

Мітки: телуриду, кадмію, легування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 50323

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Лопатинський Іван Євстахович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Будзан Богдан Борисович, Українець Валентин Остапович

МПК: C30B 25/08

Мітки: замкнутому, об'ємі, монокристалів, парофазного, вирощування, реактор, cdte

Формула / Реферат:

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович

МПК: G01N 27/22

Мітки: порушеної, підкладці, кадмію, монокристалічний, шару, залишкового, товщини, вимірювання, телуриду, діркового, структури, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...