Українець Валентин Остапович

Номер патенту: 111131

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Чекайло Микола Володимирович, Родич Володимир Михайлович, Семків Ігор Володимирович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: ag8snse6, аргіродиту, застосування, матеріалу, резистивного

Формула / Реферат:

Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу.

Номер патенту: 108169

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Кусьнеж Віктор Вацлавович, Ільчук Григорій Архипович, Лопатинський Іван Євстахійович, Чекайло Микола Володимирович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 29/46

Мітки: аргіродиту, кристалічного, спосіб, ag8sise6, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SiSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію і селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі з діапазону DТвит1 = 500-720 K до проходження хімічної реакції...

Номер патенту: 107755

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Чекайло Микола Володимирович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Гончар Федір Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: кристалічного, спосіб, ag8gеsе6, отримання, аргіродиту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8GeSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 560-740 K до проходження першої...

Номер патенту: 107754

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Українець Валентин Остапович, Петрусь Роман Юрійович, Чекайло Микола Володимирович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович

МПК: C30B 29/46

Мітки: отримання, кристалічного, спосіб, ag8snse6, аргіродиту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SnSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, олова, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 493-570 K до проходження хімічних...

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Українець Валентин Остапович, Скульський Михайло Юліанович, Лопатинський Іван Євстахович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 31/00

Мітки: кадмію, телуриду, легування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 50323

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Українець Валентин Остапович, Будзан Богдан Борисович, Лопатинський Іван Євстахович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 25/08

Мітки: монокристалів, парофазного, об'ємі, cdte, реактор, замкнутому, вирощування

Формула / Реферат:

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович

МПК: G01N 27/22

Мітки: товщини, монокристалічний, порушеної, телуриду, структури, вимірювання, спосіб, залишкового, діркового, підкладці, кадмію, шару

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...