Спосіб одержання рисунку в шарі оксиду рідкоземельного металу

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при и з готовлении Фотошаблонов дня полупро Изобретение относится к микроэлекг" ронике и может быть использовано на литографических операциях при и з г о товлении фот ошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является улучшение качества получаемого рисунка з а счет повышения равномерности травления .и уменьшения бокового подтравливания. Введение предварительной обработки слоя оксида в растворе предложенного состава позволяет полностью удалить поверхностную рыхлую лленку образующегося гидрооксида редкоземель ного металла типа Me (ОН)., 5 1 ' Р ^ О ^ И имеющего высокие скорость и неравномерность травления по сравнению 34-89 водниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - улуч-* шение качества получаемого рисунка •за счет повышения равномерности травления и уменьшения бокового подтравливания. Получение рисунка в слое оксида редкоземельного металла осуществляют в растворе следующего состава, о б . ч . : ортофосфорная кислота 900-1100, серная кислота 35-50, эстанол (ПАВ) 1-1,5. Перед нанесением слон фоторезиста проводят -химическую обработку поверхности оксида в данном растворе в течение 8-Ю с. Введение химической обработки позволяет уд злить образующуюся пленку гидрооксида редкоземельного металла, наличие которой способствует уходу размеров при травлении. с основным слоем оксида, что и приводит к значительному подтравливанито под маску. Кроме т о г о , предложенный раствор для травления позволяет проводить его при комнатной температуре с Основой раствора для травления выбрана ортофосфорная кислота, обеспечивающая смачиваемость поверхности оксида празеодима и равномерность ее травления. Однако травление в ортофосфорной кислоте идет медленно. Для ускорения процесса травления и исключения необходимости подогрева травителя в процессе травления в ортофосфорную кислоту добавляется серная кислота. Эффект равномерности и легкости процесса травления слоев оксида празеодима наблюдается О 4 З 150887 4 только при совместном действии ортодйтся контроль пластин на качество фосфорной п серпои кислот, тогда травления слоя оксида. Неровность как присутствие в травителе лишь идкрая составляет 0,3 мкм, скорость ного из указанных компонентов ведет 'травления 0,1 мкм/мин, травление прок ухудшению условий травления. Приисходит равномерно по всей поверхбавление незначительного количества ности. поверхностно-активного вещества ( э с П р и м е р 2. Стеклянные пластитанола) в травящий состав способствуны с напыленным празеодимом термичесет улучшению смачиваемости травите-jg ки окисляют в воздушной среде при, лем поверхности. температуре 45О°С. После очистки поверхности слоя оксьда пластины обра- 4 Оптимальное соотношение компоненбатывают в течение 8 с, затем отмыватов травителя установлено эксперименют в деионизованной воде и высушиватальным путем. ют на центрифуге. Далее стандартными При выходе з а пределы интервалов, 15 методами на пленке оксида празеодима определяющих содержание компонентов формируют маску из фоторезиста. Подгов р а с т в о р е , ухудшается качество потовленные таким образом пластины получаемого рисунка з а счет увеличения мешают в раствор травителя на 2,5 мин неровности края. Ухудшается равно-? и полностью стравливают пленку оксимерность травления и наблюдается раст-20 да празеодима с участков, незащищенрескивание слоя по краю рисунка. ных фоторезистивной маской. П р и м е р 1. Стеклянные пластиХимическая обработка поверхности ны с напыленным празеодимом термислоя оксида и окончательное его чески окисляют в воздушной среде при 350-450°С. После очистки поверхности 25 стравливание через фоторезистивную маску производится в растворе следуслоя оксида пластины обрабатывают в ющего состава, г: травящем растворе в течение 9 с о т мывают в деионизованной воде и высуОртофосфорная кислота шивают на центрифуге. Далее старщарт(уд.вес 1,32 г/см 3 ) ными методами на слое оксида празео- 30 (Н 3 Р0 4 ) 900 дима формируют маску из Лоторетиста. Серная кислота Подготовленные таким образом плас(уд.вес 1,84 г/см^) тины помещают в раствор для т р а в л е (H^SO,) 35 ния на 2 мин и полностью стравливают Эстанол (ПАВ) 1,0 . слой оксида празеодима с участков, 35 Раствор для травления готовят пунезащищенных фоторезистивной маской. тем последовательного прибавления Химическая обработка поверхности в отмеренное количество ортоЛосфорной слоя оксида и окончательное ее с т р а в кислоты серной кислоты и эстанола в ливание через фоторезистивнуго маску указанных количествах. производятся в растворе следующего 40 После окончания процесса травлесостава, г: ния пластины с вытравленными участками оксида празеодима отмывают в деиониОртофосфорная кислота 3 зованной воде и высушивают на центри( у д . в е с . 1,82 г/см- ) фуге. После снятия фоторезистивной (Н Э РО 4 ) 1000 Серная кислота 45 маски стандартным способом производится контроль пластин на качество трав( у д , в е с . 1,84 г/см) ления слоя оксида. Неровность края (H^S0 4 ) 42 составляет 0,3 мкм, скорость травлеЭстанол (ПАВ) 1 ,3 ния 0,1 мкм/мин, травление происхоРаствор для травления готовят путем последовательного прибавления ^о дит равномерно по всей поверхности. П р и м е р З . Условия получения в отмеренное количество ортоЛосфорной и обработки слоя празеодима аналогичкислоты серной кислоты и эстанола в ны приведенным в примере 1 за исключеуказанных количествах. нием продолжительности химической обПосле окончания процесса травработки поверхности слоя празеодима ления, пластины с вытравленными 55 в растворе для травления перед нзкеучастками оксида празеодима отмывают сением фоторезиста и состава раствора. в деиокизованной воде и высушивают на центрифуге. После снятия фоторезистивПродолжительность химической обраной маски стандартным способом провоботки слоя увеличена до 10 с. Для 5 1 508874 6 включающий химическую обработку потравления используют раствор следуюверхности слоя оксида, нанесение щего состава, г: на нее слоя фоторезиста, формироваОртофосфорная кислота ние фоторезистивнои маски и перенос (уд.вес 1,82 г/см 3 ) рисунка маски в слой оксида путем (Н 3 РО«) 1 100 химического травления в р а с т в о р е , с о Серная кислота 3 держащем серную, ортофосфорную кисло( у д . в е с 1,84 г / с м ) ты и поверхностно-активное вещество (H 2 SO 4 ) 50 ^д о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , Эстанол (ПАВ) 1 ,5 с целью улучшения качества получаеСпособ приготовления раствора мого рисунка за счет повышения равдля травления аналогичен указаннономерности травления и уменьшения бому в примере 1, время травления кового подтравливания, при травлении 2 мин. ід слоя оксида компоненты раствора исПосле окончания процесса т р а в л е пользуют при следующем соотношении ния производится отмывка и сушка об.ч,: пластин, снятие фоторезистивнои Ортофосфорная кислота маски стандартным способом и конт( у д . в е с 1,82 г / с м 3 ) 900-1100 роль пластин на качество травления слоя оксида. Неровность края с о с т а в - 2о Серная кислота ляет 0,3 мкм, скорость травления ( у д . в е с 1,84 г / с м 3 ) 35-50 0,13 мкм/мин, травление происходит ПАВ 1-1,5 равномерно по всей поверхности. При этом травление проводят при комнатной температуре, а химическую Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я 25 обработку поверхности слоя оксида осуществляют в том же растворе в т е Способ получения рисунка в слое оксида редкоземельного металла, чение 8-І0 с . Редактор М, Васильева Составитель А. Хохлов Техред М.Дидык Корректор О. Ципле •Заказ 1749/ДСП Тираж 418 Подписное В И Г Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ GCCP Н ИШ 11303 5, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101