Інвертор

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использова но для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации. Цель изобретения - уменьшение площади инвертора. Поставленная цель достигается тем, что он содержит первую и вторую поликремниевые области 9,10 первого и второго типа проводимости соответственно. Указанные области 9,10 образуют нагрузочный диод инвертора, который имеет вольт-амперную характеристику, близкую к генератору тока. В результате на выходе повышается уровень логической " і " и понижается уровень логического " 0 " . 4 ил. о 1079 8 СО Физ.1 З 1494214 Изобретение относится к микрообратным током. Нагрузочная характеэлектронике и может быть использоваристика вертикального поликремниевоно для создания полупроводниковых го диода близка к генератору тока. й статических запоминающих устройств Уровень " 0 в элементе памяти с высокой плотностью записи информатем меньше, чем меньше пороговое нации. пряжение транзисторов 13 и 14 и Цель изобретения - уменьшение меньше ток утечки через закрытый наплощади инвертора. грузочный p-n-переход (что равноценНа фиг. 1 представлена структура 10 но падению напряжения на открытом инвертора І на фиг. 2 - характериститранзисторе 13 или 14). В этом слука нагрузочного диода типа поликремчае благодаря нелинейности характений-поликремнийі на фиг. 3 - выходристики обратно смещенного поликремная характеристика инвертора; на ниевого р-п-пер£хода противоположфиг. 4 - электрическая схема элемен- 15 ного типа обеспечивается минимальное та памяти на предложенном инверторе. прямое падение напряжения на открыИнвертор содержит полупроводнитом транзисторе 13 или 14, т.е. 1 ковую подложку 1 первого типа провобольший уровень " Г позволяет выполдимости, полупроводниковые области нять транзисторы 13 и 14 с большими 2 и 3 второго типа проводимости, яв- 20 уровнями порогового напряжения, ляющиеся соответственно истоком и сохранив требования по уровню " 0 " стоком МДП-транзистора инвертора, и следовательно, повысив помехоустойпервый диэлектрический слой, первую чивость инвертора. проводящую область 4, являющуюся Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я затвором транзистора и информацион- 25 ным входом инвертора, вторую 5 и Инвертор, содержаний полупроводтретью 6 проводящие области, являюниковую подложку первого типа провощиеся входом нулевого потенциала и димости, первую и вторую полупроводвыходом инвертора соответственно, никовые области второго типа прововторой диэлектрический слой 7, четдимости, расположенные в приповерх30 вертую проводящую область 8, являюностном слое полупроводниковой подщуюся входом питания инвертора, перложки, первый диэлектрический слой, вую поликремниезую область 9 первого расположенный на поверхности полутипа проводимости, вторую поликремироиодкиковой подложки между первой ниевую область 10 второго типа прои второй полупроводниковыми областя35 ми, первую проводящую область, расводимости. положенную на первом диэлектрическом Основное назначение нагрузочных слое, вторую и третью проводящие обэлементов 11 и 12 - обеспечение макласти, расположенные на первой и втосимально возможной разницы в уровнях " 0 " и " t " на выходах элемента памяти 40 рой полупроводниковых областях соответственно, второй диэлектрический (или на затворах транзисторов 13 и слой, расположенный на поверхности 14) в режиме хранения информации, полупроводниковой подложки и примыа также обеспечение совместно с инкающий к второй полупроводниковой формациошыми шинами 15 и 16 максиобласти, четвертую проводящую обмальной скорости заряда емкостей 45 ласть, проводящие области с первой затворов транзисторов 13 и 14 с учепо четвертую являются соответствентом паразитных емкостей стоковых обно информационным входом, входом ластей транзисторов в режиме перенулевого потенциала, выходом и вхоключения элемента памяти. дом питания инвертора, о т л и Большая скорость заряда - перетем, что, с целью 50 ч а ю щ и й с я ход элемента в режим хранения " 1 " , уменыления площади инвертора, он сочто равноценно увеличению быстродейдержит первую область поликремния ствия элемента памяти, происходит первого типа проводимости, располоза счет уменьшения сопротивления женную на второй полупроводниковой обратно смещенного р-п-перехода по 55 области с перекрытием края второго мере уменьшения разницы потенциалов диэлектрического слоя, вторую обмежду напряжением питания и напряжеласть поликремния второго типа провонием уровня " 1 " в одном из плеч эледимости, расположенную на втором мента, а также большим начальным 5 149421-4 диэлектрическом слое и примыкающую i первой области поликремния, третья t проводящая область перекрывает край 6 ' первой области поликремния, а четвертая проводящая область расположена на второй области поликремния і І І'" fMA і • .! • ZMA -гов -5В У і 5В Ю'мкА • І. Ш ( Iдиода Фиг.З - а •[•'• 5В Vcc V2>/ 11 nil f 15 X • • • ml VT3 ФигМ Редактор Л.Пчелинская Составитель С.Королев Техред Л. Олейник Корректор т .Малец Заказ 4129/55 Тираж 884 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, К-35, Раушская наб ., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101