Напівпровідникова схема, захищена від зовнішніх впливів

1 Напівпровідникова схема, зокрема для застосування в інтегральному модулі, що має такі ознаки - щонайменше один робочий блок, що містить схему керування і запам'ятовуючий пристрій, - щонайменше один блок ініціалізації для тестування і/або для ініціалізації робочого блока або робочих блоків, - щонайменше один робочий блок з'єднаний через щонайменше одну з'єднувальну ЛІНІЮ З щонайменше одним блоком ініціалізації, яка відрізняється тим, що - з'єднувальна ЛІНІЯ (1) після виготовлення напівпровідникової схеми розірвана, - в області щонайменше однієї з'єднувальної лінії (1) передбачена щонайменше одна потенціальна ЛІНІЯ (2, 3), з'єднана з блоком ініціалізації або з блоками ініціалізації, - блок ініціалізації виконаний із можливістю пере Винахід стосується напівпровідникової схеми, зокрема, для застосування в інтегральному модулі, що має такі ознаки ведення в неактивний стан при з єднанні потенціальної лінії або щонайменше однієї з потенціальних ЛІНІЙ (2, 3) із з'єднувальною ЛІНІЄЮ (1) або із щонайменше однією із з'єднувальних ЛІНІЙ 2 Напівпровідникова схема, зокрема для застосування в інтегральному модулі, що має такі ознаки - щонайменше один робочий блок, що містить схему керування і запам'ятовуючий пристрій, - щонайменше один блок ініціалізації для тестування і/або для ініціалізації робочого блока або робочих блоків, - щонайменше один робочий блок з'єднаний через щонайменше одну з'єднувальну ЛІНІЮ З щонайменше одним блоком ініціалізації, яка відрізняється тим, що - з'єднувальна ЛІНІЯ (1) після виготовлення напівпровідникової схеми розірвана, - в області щонайменше однієї з'єднувальної лінії (1) передбачена щонайменше одна потенціальна ЛІНІЯ (2, 3), з'єднанана з робочим блоком або щонайменше з одним із робочих блоків, - робочий блок виконаний із можливістю переведення в неактивний стан при з'єднанні потенціальної лінії або щонайменше однієї з потенціальних О ЛІНІЙ (2, 3) із з'єднувальною ЛІНІЄЮ (1) або із що найменше однією із з'єднувальних ЛІНІЙ 3 Напівпровідникова схема за пунктом 1 або 2, яка відрізняється тим, що щонайменше одна з'єднувальна ЛІНІЯ (1) і щонайменше одна потенціальна ЛІНІЯ (2, 3) виконані в основному паралельно одна одній 4 Напівпровідникова схема за будь-яким з попередніх пунктів, яка відрізняється тим, що в області з'єднувальної лінії (1) передбачені щонайменше дві потенціальні лінії (2, 3) 5 Напівпровідникова схема за будь-яким з попередніх пунктів, яка відрізняється тим, що напівпровідникова схема оточена ізолювальним корпусом (4) - принаймні один робочий блок із схемою керування, наприклад, із мікропроцесором, та і запам'ятовуючим пристроєм даних, (О ю 56177 - принаймні один блок ініціалізації для тестування і/або для ініціалізації робочого блоку або, ВІДПОВІДНО, робочих блоків, - принаймні один робочий блок з'єднаний через, щонайменше, одну з'єднуючу ЛІНІЮ, ЩО виконана роз'єднуваною з, принаймні, одним блоком ініціалізації У названих ВІДПОВІДНИХ обмежувальній частині напівпровідникових схемах запам'ятовуючий пристрій даних часто виконано у виді енергонезалежного, тобто зберігаючого інформацію при відключенні живлення програмуючого запам'ятовуючого пристрою даних При виготовленні напівпровідникової схеми, наприклад, за допомогою блоку ініціалізації дані записують у запам'ятовуючий пристрій даних Далі є можливим приводити робочий блок за допомогою блоку ініціалізації у стан, в якому він може бути підданий тестуванню Для цього блок ініціалізації через з'єднувальні лінії з'єднаний із робочим блоком Подібні з'єднувальні лінії виконані з провідникового матеріалу, наприклад, із провідникового полімеру як, зокрема, полікремнію, або з металу Для підвищення надійності систем, для яких застосовують ВІДПОВІДНІ обмежувальній частині напівпровідникові схеми, блок ініціалізації після виготовлення напівпровідникової схеми на тривалий час відокремлюють від робочого блоку За рахунок цього надійно деактивуються функції блоку ініціалізації так, що ВІДПОВІДНІ небажані зміни є неможливими Після виготовлення ВІДПОВІДНО обмежувальній частині напівпровідникової схеми названі вище з'єднувальні лінії для цього роз'єднують Це відбувається, наприклад, в результаті електричного спалаху, в результаті лазерного різання або також внаслідок механічного поділу Зокрема у випадку, в якому з'єднувальні лінії переривають в результаті лазерного різання або внаслідок механічного поділу, напівпровідникову схему потім закладають в ізолюючий матеріал корпусу, який забезпечує додатковий захист віднебажаних змін Щоб зробити реактивування роз'єднаних з'єднувальних ЛІНІЙ для цілей маніпуляції більш складним, з рівня техніки відомо розміщення з'єднувальної лінії в лежачому по можливості глибоко шарі напівпровідникової схеми ВІЛЬНІ КІНЦІ роз'єднаної з'єднувальної лінії можуть тоді бути знову з'єднані один з одним тільки особливо дорогим і складним способом Для цього з'єднувальна ЛІНІЯ повинна бути насамперед звільнена Це є особливо складним, тому що для цього повинні бути видалені лежачі над з'єднувальною ЛІНІЄЮ шари напівпровідникової схеми без руйнування самої напівпровідникової схеми Після цього потім повинно бути виконано провідне з'єднання вільних КІНЦІВ з'єднувальної лінії На практиці це, як правило, не відбувається, тому що ВІДПОВІДНІ обмежувальній частині напівпровідникові схеми за рахунок вище описаних заходів є добре захищеними від небажаних змін Незважаючи на вигідне виконання ВІДПОВІДНИХ обмежувальній частині напівпровідникових схем щодо небажаного реактивування блоку ініціалізації, все таки може трапитися, що напівпровідникова схема піддається ЗМІНІ 4 ЕР 0 172 108 А1 розкриває напівпровідникову схему в інтегральному модулі, причому роз'єднувальна з'єднувальна ЛІНІЯ МІЖ схемою і вивідом захищена за рахунок підключеної до "землі" вкриваючої пластинки З'єднувальна ЛІНІЯ може бути досягнута тестовим зондом тільки тоді, якщо тестовий зонд проникне через цю вкриваючу пластинку, що приводить до короткого замикання тестового зонду Тому тестовим зондом не можна зчитувати ніякого сигналу із з'єднувальної лінії Якщо вкриваючу пластинку видалити, то роз'єднане з'єднання може бути знову з'єднано US 5,473,112 розкриває інтегральну напівпровідникову схему, в якій доступ до енергонезалежного запам'ятовуючого пристрою включається логічною схемою або через ВХІДНІ/ВИХІДНІ контактні штирки з мультиплексорами Керуюча ЛІНІЯ мультиплексорів захищена екрануючими ЛІНІЯМИ, ЩО знаходяться на певному потенціалі Дослідження напівпровідникової мікросхеми через зчитування електронним променем або іонного фрезерування приводить до короткого замикання керуючої лінії з екрануючою ЛІНІЄЮ за рахунок чого доступ через ВХІДНІ/ВИХІДНІ контактні штирки до запам'ятовуючого пристрою стає неможливим Завданням цього винаходу тому є надання в розпорядження відповідної обмежувальній частині напівпровідникової схеми, що має поліпшений захист від небажаних змін Це завдання вирішується ВІДПОВІДНО ДО винаходу за рахунок відповідної обмежувальної частини напівпровідникової схеми, що крім того має такі ознаки - в області, принаймні, однієї з'єднувальної лінії передбачена, щонайменше, одна потенціальна ЛІНІЯ, що знаходиться в з'єднанні з блоком ініціалізації або, ВІДПОВІДНО, із блоками ініціалізації, - блок ініціалізації виконаний із можливістю переведення в неактивний стан при з'єднанні потенційної лінії або, ВІДПОВІДНО, принаймні, однієї з потенційних ЛІНІЙ із з'єднувальною ЛІНІЄЮ або, ВІД ПОВІДНО, ІЗ щонайменше, однією із з'єднувальних ЛІНІЙ Завдання, що лежить в основі винаходу, вирішується крім того за рахунок відповідної обмежувальної частини напівпровідникової схеми, що має такі ознаки - в області, принаймні, однієї з'єднувальної лінії передбачена, принаймні, одна потенційна ЛІНІЯ, що знаходиться в з'єднанні з робочим блоком або, ВІДПОВІДНО, принаймні, з одним із робочих блоків, - робочий блок виконаний із можливістю переведення в неактивний стан при з'єднанні потенційної лінії або, ВІДПОВІДНО, принаймні, однією з потенційних ЛІНІЙ із з'єднувальною ЛІНІЄЮ або, ВІДПОВІДНО, із, принаймні, однією із з'єднувальних ЛІНІЙ З подібними потенційними ЛІНІЯМИ реактивування роз'єднаної з'єднувальної лінії значно утруднюється Справа в тому, що потенційні лінії розташовані на якомога близькій відстані поруч із з'єднувальною ЛІНІЄЮ, ЩО має по можливості малу ширину, а саме таким чином, що при спробі контактування з'єднувальної лінії з метою відновлення електричного з'єднання, виникає електрично провідний контакт або, ВІДПОВІДНО, коротке замикання шштшш 517 67 5 ВИДІ фТура У 2 показує відрізок з'єднувально, л,н„ з НЯ ура 1 показує виріз із ВІДПОВІДНО, винаходу напівпровідникової схеми показаний у Напівпровідникова схема має не показании у Ф|Г ШВШЖ т блоком ,н,ц,ал,заЦ,, н а п | В п р о в І Д Н И К О В О , схеми Ж и 1 У " с ц . роз'єднання А-В у поперечноМУ n "яГоТобливо добре видно вцьому вид,, З o v r a п о т е н ц і й н а Л І Н І Я 3 „ „ , • „ „ цьому в області місця роз'єднання А-В ви особливо надійна нап,ВпРов,дникова wiMwr . також електрично провідне з'єднання лінії додатково утруднюється так, докладно прикладі виконання ВІ ^ Г щ о " п е р е ш к о д ж а є вистежуванню даних у дповГно. винаході ФІГ І". "І Л 'II, III ІЗ ФІГ. 2 517 67 ФІГ. З Підписано до друку 05 06 2003 р Тираж 39 прим ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)236-47-24