Електромагнітнокристалічний пристрій

Електромагнітнокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд 3 Поставлена задача вирішується тим, що в ЕКпристрої, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд періодично розміщених металізованих отворів глибиною меншою товщини основи, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, новим є те, що отвори виконано з боку сигнального провідника, а сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових провідників та отвори, причому мікросмужкові провідники розміщено почергово з отворами. Запропонована корисна модель пояснюється кресленнями та характеристиками на Фіг. 1 - Фіг. 4. На Фіг. 1 показано загальний вид ЕК-пристрою, на Фіг. 2 - вид зверху по Фіг. 1. На Фіг. 3 та Фіг. 4 представлено порівняльні розрахункові частотні характеристики коефіцієнтів проходження Т і відбиття R для ЕК-пристрою конкретної реалізації (криві І) та його найближчого аналога (II) в першій забороненій зоні, де f0 - середня частота цієї зони. ЕК-пристрій містить діелектричну основу 1, на одному боці якої виконано металізацію 2. На другому боці виконано ряд періодично розміщених металізованих отворів 3 глибиною меншою товщини основи 1 та відрізки мікросмужкових провідників 4. Сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових провідників 4 та отвори 3. Мікросмужкові провідники 4 розміщено почергово з отворами 3. В основі роботи пристрою лежить процес поширення електромагнітних хвиль вздовж мікросмужкової лінії. В результаті відбиття хвиль від пе 58413 4 ріодично розміщених неоднорідностей і інтерференції цих хвиль формуються дозволені та заборонені частотні зони. В ЕК-неоднорідністі у формі металізованого отвору, розміщеного з боку сигнального провідника і гальванічно зв'язаного з ним, вся поверхня має однаковий потенціал. Таким чином, хвильовий опір визначається площею всієї поверхні отвору, а не лише площею його дна, як у найближчого аналога. При однакових розмірах це забезпечує зменшення хвильового опору і, отже, покращення розв'язки сигналів. Фіг. 3 та Фіг. 4 ілюструють покращення розв'язки сигналів запропонованим пристроєм І у порівнянні з його найближчим аналогом II. Отвори виконано круглими. Параметри пристроїв: довжина 53 мм, ширина 9 мм, товщина мідної фольги 35 мкм, товщина основи 1,28 мм, ширина відрізків смужкових провідників 1,1 мм, період структури 10 мм, діаметр отворів 3 мм, глибина отворів 0,7 мм, кількість отворів 5, товщина металізації отворів 35 мкм, відносна діелектрична проникність матеріалу основи - 10,2, тангенс кута діелектричних втрат - 0,0023 на частоті 10 ГГц. В пристрої II смужковий провідник над отворами має скруглену форму діаметром 3 мм. Абсолютна та відносна ширина смуги подавлення (по перших нулях), мінімальний рівень сигналу в цій смузі та частота f0 для пристроїв І і II відповідно дорівнюють 3,64 ГГц і 3,21 ГГц; 71 % і 61 %; -41,3 дБ і -31,2 дБ; 5,10 ГГц і 5,29 ГГц. Пристрій І покращує розв'язку сигналів на 10,1 дБ. 5 58413 6 7 Комп’ютерна верстка А. Крулевський 58413 8 Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601