Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6 (pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого агента CuI з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули, а вихідні компоненти для синтезу містять елементарні мідь, сірку та бінарний CuI, і який відрізняється тим, що додатково до вихідних компонентів для синтезу додають елементарні фосфор і арсен, при цьому максимальна температура синтезу становить 943±5 К.

Текст

Реферат: Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого агента CuI з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули, а вихідні компоненти для синтезу містять елементарні мідь, сірку та бінарний CuI, і причому додатково до вихідних компонентів для синтезу додають елементарні фосфор і арсен, при цьому максимальна температура синтезу становить 943±5 К. UA 70707 U (12) UA 70707 U UA 70707 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до галузі неорганічної хімії та неорганічного матеріалознавства, зокрема до технології вирощування монокристалів галогенхалькогенідів за допомогою газотранспортних реакцій, окремі представники з яких є перспективними суперіонними матеріалами з високою катіонною провідністю у твердому стані. Відоме використання газотранспортних реакцій для вирощування монокристалів галогенхалькогенідів купруму [1,2]. Недоліком вказаного способу є використання у ролі вихідної сировини попередньо синтезованого галогенхалькогеніду. Найбільш близьким до запропонованого є спосіб, описаний в [3]. Задача корисної моделі полягає у поєднанні синтезу вихідної шихти твердого розчину галогенхалькогенідів купруму та вирощування монокристалів за допомогою хімічних транспортних реакцій. Поставлена задача вирішується таким чином, що спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого агента CuI з розрахунку 20 3 мг/см вільного об'єму ампули, а вихідні компоненти для синтезу містять елементарні мідь, сірку та бінарний CuI і, який відрізняється тим, що додатково до вихідних компонентів для синтезу додають елементарні фосфор і арсен, при цьому максимальна температура синтезу становить 943 ±5 К. Перевагою запропонованого способу є те, що синтез вихідної шихти твердого розчину галогенхалькогенідів купруму та вирощування монокристалів за допомогою хімічних транспортних реакцій [4] поєднуються в одному технологічному циклі. Спосіб здійснювали наступним чином. Приклад. Для одержання 10 г твердого розчину купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату складу Cu6(P0,5As0,5)S5I брали 4,4039 г Сu, 0,2147 г Р, 0,5193 г As, 2,2223 г S і 2,6398 г СuІ і завантажували у кварцову ампулу довжиною 170 - 180 мм та діаметром 20 - 22 мм. Додатково у 3 ролі транспортуючого агента в ампулу додавали СuІ з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму 3 -3 ампули (на 100 см 2,000 г СuІ). Ампулу відкачували до залишкового тиску 10 Па і проводили синтез. Для синтезу та вирощування монокристалів використовували мідь марки М-000, фосфор В-3, арсен Ос.Ч. 22-4, сірку Ос.Ч. 15-3 та попередньо синтезований за методикою [5] СuІ. Додаткову очистку СuІ проводили методом вакуумної дистиляції. Завантажену ампулу поміщали у горизонтальну трубчату двозонну піч опору з електронним контролем та регулюванням температури. Ампулу нагрівали з швидкістю 100 К/год. до 673 К і витримували при цій температурі 24 год.; потім нагрівали з швидкістю 50 К/год. до 773 К і витримували 24-36 год.; далі нагрівали з швидкістю 50 К/год. до 943 К і витримували при цій температурі 24 год. Під час синтезу температуру у зоні, де знаходиться вільний кінець ампули, підтримували на 40 - 50 К вищою за температуру, де знаходиться шихта для вирощування монокристалів. Після проведення синтезу у тих самих ампулах методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) вирощувалися монокристали твердого розчину Cu6(P0,5As0,5)S5I. Для цього змінювали температурний режим так, щоб температура у вільному кінці ампули (зона росту) була на 40 50 К нижчою за температуру в зоні синтезу. Оптимальними умовами вирощування виявились температура 923 - 943 К в зоні випаровування та 873 - 903 К в зоні кристалізації, час вирощування монокристалів складав 320 - 360 годин. При цих умовах методом 3 газотранспортних реакцій одержано монокристали розміром до 3×4×2 мм . Одержаний продукт досліджували методами рентгенівського фазового (РФА) та денситометричного (гідростатичне зважування) аналізів. Дифрактограма твердого розчину Cu6(P0.5As0,5)S5I (креслення) проіндексована в гранецентрованій кубічній комірці. Структурні параметри: просторова група F43m , а = 9,864(2) Å, Z = 4. Густина, визначена методом 3 гідростатичного зважування (толуен, 20 °C) становить 5015±10 кг/м , а розрахована за 3 рентгенівськими даними - 5021 кг/м . Пропонований спосіб зручний, швидкий, вигідно відрізняється від запропонованих раніше методів одержання монокристалів і може бути виконаний на стандартному устаткуванні. Джерела інформації: 1. Панько В. В., Студеняк И. П., Дьордяй B. C., Ковач Д. Ш., Борец А. Н., Ворошилов Ю. В. Влияние условий получения на свойства кристаллов Cu6PS5Hal // Неорг. Материалы, 1988.Т.24, № 1. -С. 120-123. 1 UA 70707 U 5 10 2. Studenyak I. P, Kranjcec M., Mykailo O. A., Bilanchuk V. V., Panko V. V., Tovt V. V. Crystal growth, structural and optical parameters of Cu6PS5(Br1-xIx) superionic conductors // J. Optoelectron. Adv. Mater. - 2001. - Vol.3, № 4. -P. 879-884. 3. Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій: Патент України № 54730, МПК (2006) С30В 11/14/ Кохан О. П., Панько В. В., Мінець Ю. В., Студеняк І. П., - № u 2010044591; Заявлено 19.04.2010; Опубл. 25.11.2010, Бюл. № 22. - прототип. 4. Gagor A., Pietraszko A., Drozd M., Polomska M., Pawlaczyk Cz., Kaynts D. Structural phase transitions and conduction properties of superionic, ferroelastic Cu6PS5Br1-xIx single crystals (x = 1, 0,75, 0,5, 0,25) // J. Phys.: Condens. Matter. -2006. - Vol. 18. - P. 4489-4502. 5. Брауэр Г. Руководство по неорганическому синтезу. В 6-ти томах / Пер. с нем. Н. А. Добрыниной, В. Н. Постнова, С. И. Троянова.- М.: Мир, 1985. - Т.4. - 392 с. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 15 20 Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого агента CuI з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули, а вихідні компоненти для синтезу містять елементарні мідь, сірку та бінарний CuI, і який відрізняється тим, що додатково до вихідних компонентів для синтезу додають елементарні фосфор і арсен, при цьому максимальна температура синтезу становить 943±5 К. Комп’ютерна верстка І. Скворцова Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for growing single crystals of solid solutions of copper iodide pentathiophosphate-arsenate cu6(pxas1-x)s5i with chemical transport reactions

Автори англійською

Kohan Oleksandr Pavlovych, Panko Vasyl Vasyliovych, Minets Yurii Vasyliovych, Kaila Marianna Ivanivna, Studeniak Ihor Petrovych

Назва патенту російською

Способ выращивания монокристаллов твердых растворов медь йодида пентатиофосфата-арсената cu6 (pxas1-x)s5i с помощью химических транспортных реакций

Автори російською

Кохан Александр Павлович, Панько Василий Васильевич, Минец Юрий Васильевич, Кайла Марианна Ивановна, Студеняк Игорь Петрович

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, реакцій, спосіб, пентатіофосфату-арсенату, купрум, хімічних, твердих, pxas1-x)s5i, розчинів, монокристалів, йодиду, транспортних, вирощування

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-70707-sposib-viroshhuvannya-monokristaliv-tverdikh-rozchiniv-kuprum-jjodidu-pentatiofosfatu-arsenatu-cu6-pxas1-xs5i-za-dopomogoyu-khimichnikh-transportnikh-reakcijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6 (pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій</a>

Подібні патенти