Чутливий елемент газоаналізатора на кисень
Номер патенту: 8572
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Вашпанов Юрій Олександрович, Карлов Олег Германович, Коробко Георгій Самуілович, Бойчук Валерій Миколайович
Формула / Реферат
Чувствительный элемент газоанализатора ва кислород, содержащий нанесенный на диэлектрическую подложку полупроводниковый слой, легированный атомами индия, нагревательный элемент я токоотводы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и увеличения ресурса непрерывной работы, в качестве полупроводникового слоя использован двухкомпонентный окисел состава ZnO:In2O3 в следующих количественных соотношениях, мас.ч.:
ZnO 2,2-3,8
In2O3 0,8-1,4.
Текст
ЛЛЯ СЛУЖЕБНОГО ИОЛЬЭОП АПИЯ СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (4^ U і. J * • 4079 A1 (5U4 G 01 N 27/02 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ҐННТ СССР 1 (21) 4359062/24-25 (22) 06.01.88 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро с экспериментальным производством Института ядерных исследований АИ УССР (72) Г.С.Коробко, Ю.А.Вашпанов,, О.Г.Карлов и В.Н.Бойчук (53) 543.247(088.8) (56) Патент США № 4151503, кл. G 01 N 27/12, 1979. Смынтына В.А. и др. Повышение и стабилизация адсорбционной способности поверхности пленок CdSe, Тезисы докладов на 1 Всесоюзной конференции "Новые принципы в аналитическом приборостроении", Киев, 1980, с. 35. (54) ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ГАЗОАНАЛИЗАТОРА НА КИСЛОРОД (57) Изобретение относится к газоаналитическому приборостроению и может быть использовано при анализе на кислород в газовых смесях. Цель изобретения — повышение точности измерения. Чувствительный элемент к газоанализатору на кислород содержит диэлектрическую подложку, нагреватель, изоля•ционный слой, поверх которого нанесен активный (полупроводниковый) слой с контактными площадками. Чувствительный элемент обтадает повышенной точностью и ресурсом стабильной работы за счет "использования в качестве активного слоя двухкомпонентного окисла о типа окись цинка-окись индия в опреденном процентном соотношении, поверхность которого легирована атомами индия. 1 ил., 1 табл. Изобретение откосится к аналитическому приборостроению и может быть использовано в тех областях науки и техники, где необходим анализ газовых смесей, содержащих кислород, например металлургической, химической, а также в экологически замкнутых сие темах. Цель изобретения - повышение точности измерений и увеличение ресурса непрерывной работы. На чертеже представлена схема чув' ствительного элемента, К диэлектрической подложке 1 механически прикреплена пластинка 2 кремния размерами 2x2 ммг , используемая 37-89 в качестве электронагревателя. На пластинку 2 нанесен плазменным окислением изоляционный слой 3, а на него методом электронно—лучевого распыления - активный слой 4. Положение, электрических контактов 5 и 6 и активного слоя 4 задается расположением специального фотошаблона. В качестве исходного материала активного слоя выбран двухкомпонентный окисел (эвтектика), мас.ч.: ZnO 2,2-3,8 In203 0,8-1,4 Соотношение окислов выбрано эмпирически, методом планированного экс- , перимента. 1 1514079 В ч аблице приведены данные, иллюстрирующие поиск о т имдлыюго соотношения окислов, используемых в качест — Be полупроводникового споч. 5 Работает попупроводниковый чувствительный элемент следующим образом. Через контакты нагревателя 2 пропускапт ток порядка 100-105 мА, нагревающий активный слой 4 до 80-90°С. 10 После выхода на температурный режим через контакты к полупроводниковому (активному) слою подают питающее постоянное напряжение через нагрузочное сопротивление, величина которого 15 на два порядка ниже сопротивления активного слоя. Падение напряжения с сопротивления подается на регистрирующий вторичный прибор. Протекание адсорбционно-десорбци- 20 онных процессов кислорода на поверхности полупроводникового слоя приво— Материал Соотношение, мае.ч. CdSe/ln ZnO:Pb/ln ZnO:SnO2/In ZnO:In 2 O 3 /In 2пО:Іп г 0 3 /Іп ZnO:In2O.,/In ZnO:In 0 /In Прототип Стехиометр Стехиометр 2:1 3:1 4:1 5:1 Редактор Б.Федотов лит к изменению eiо проводимое і и, которое, в свою очередь, регистрируется прибором. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Чувствительный элемент газоанализатора на кислород, содержащий нанесенный на диэлектрическую подложку полупроводниковый слой, легированный атомами индия", нагревательный элемент и токоотводы, о т л и ч а гощ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерений и увеличения ресурса непрерывной работы, в качест' ве полупроводникового слоя использован двухкомпонентный окисел состава ZnO:Хп^О3 в следующих количественных соотношениях, мас.ч.; ZnO 2,2-3,8 0,8-1,4. 1пг0э Ресурс ста- Чувствитель- Основная Примечание бильной ра- ность, приведенотн.ед./ боты, ч ная погрешност ь, /обЛ 500 450 700 800 1000 700 600 Составитель Техред ( 10^ 10"' J • 1 10" 5 10* 3,5 4,0 2,0 1,6 1,5 2,0 Прототип И.Соколов Корректор М.Максичиїііинец З а к а з 1906/ДСП Тираж 728 Подписное ВНИИГШ Г о с у д а р с т в е н н о г о к о м и т е т а по и з о б р е т е н и я м и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Произвилственч(1 і п л а т е п ь с к и и комбинат " П а т е н т " , г.Ужгород, /і. І ніарина,101
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSensitive element of gas-analyzer on oxygen
Автори англійськоюKorobko Heorhii Samuilovych, Vashpanov Yurii Oleksandrovych, Karlov Oleh Hermanovych, Boichuk Valerii Mykolaiovych
Назва патенту російськоюЧувствительный элемент газоанализатора на кислород
Автори російськоюКоробко Георгий Самуилович, Вашпанов Юрий Александрович, Карлов Олег Германович, Бойчук Валерий Николаевич
МПК / Мітки
МПК: G01N 27/02
Мітки: чутливий, кисень, елемент, газоаналізатора
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-8572-chutlivijj-element-gazoanalizatora-na-kisen.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Чутливий елемент газоаналізатора на кисень</a>
Попередній патент: Корпус напівпровідникового нвч діода
Наступний патент: Hормальhо замкhуте дискове гальмо
Випадковий патент: Поживне середовище для культивування бактерій роду azotobacter