Патенти з міткою «ag7ges5i»
Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину
Номер патенту: 115204
Опубліковано: 25.09.2017
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович
МПК: C30B 29/46, C30B 11/02, C30B 1/06 ...
Мітки: методом, розплаву-розчину, спрямовано, ag7ges5i, вирощування, спосіб, кристалізації
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...
Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину
Номер патенту: 114854
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович
МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...
Мітки: спосіб, ag7ges5i, розчину, кристалізації, спрямовано, методом, розплаву, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...