Ізай Віталій Юрійович

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Куцик Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01T 1/00

Мітки: матеріалу, міді, cu6pse5i, рентгенівського, застосування, тонкої, основі, плівки, йодид-пентаселенофосфату, реєстрації, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: випромінювання, застосування, тонкої, рентгенівського, основі, реєстрації, матеріалу, cu6ps5i, міді, плівки, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, спрямовано, вирощування, методом, розчинів, розплаву-розчину, кристалізації, твердих, cu1-xagx)7ges5i, складу

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01T 7/02, G01T 5/10

Мітки: реєстрації, випромінювання, рентгенівського, міді, тонкої, матеріалу, cu7ges5i, застосування, йодид-пентатіогерманату, основі, плівки

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 1/06, C30B 11/02, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалізації, ag7ges5i, вирощування, методом, спосіб, розплаву-розчину, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Мікула Маріан

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5i, джерела, тонких, основі, матеріалу, енергії, спосіб, міді, плівок, йодид-пентатіофосфату, одержання, твердоелектролітичного, високопровідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: методом, вирощування, розплаву, розчину, кристалізації, спрямовано, ag7ges5i, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Мікула Маріан, Куш Петер

МПК: C01G 3/00, H01M 6/18, H01M 4/28 ...

Мітки: матеріалу, тонких, міді, енергії, високопровідних, cu6ps5i, твердоелектролітичного, спосіб, одержання, йодид-пентатіофосфату, джерела, плівок, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: бромід-пентатіофосфату, джерела, основі, тонкої, матеріалу, енергії, міді, плівки, cu6ps5br, застосування, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: бромід-пентатіофосфату, тонкої, енергії, джерела, застосування, міді, матеріалу, cu6ps5br, твердоелектролітичного, плівки, основі

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, основі, аморфної, cu7ges5i, твердоелектролітичного, джерела, міді, енергії, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: основі, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, твердоелектролітичного, джерела, енергії, міді, застосування, cu7ges5i, аморфної, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 88417

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, cu6ps5cl, хлорид-пентатіофосфату, основі, міді, твердоелектролітичного, джерела, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді, який відрізняється тим, що хлорид-пентатіофосфат міді Cu6PS5Cl є монокристалом.

Номер патенту: 40029

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01L 45/00

Мітки: хлорид-пентатіофосфату, cu6ps5cl, застосування, енергії, матеріалу, твердоелектролітичного, джерела, міді

Формула / Реферат:

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.